[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

n型半导体层，将GaN作为主要成分；

p型半导体层，位于所述n型半导体层的单面侧，将GaN作为主要成分；

辅助电极层，位于所述p型半导体层的与所述n型半导体层相反侧；

正电极，设在所述辅助电极层；以及

负电极，与所述n型半导体层电连接，

当相对于所述负电极在所述正电极施加正电压时，在所述p型半导体层与所述n型半导体层之间施加电压而流过工作电流，其中，

所述辅助电极层具有：

Ag层，以与所述p型半导体层接触的方式设置；以及

金属氧化物层，以与所述Ag层接触的方式设置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是当流过所述工作电流时进行发光的发光二极管元件，

所述辅助电极层是用于导出光的透明电极。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述金属氧化物层是ITO层。

4.根据权利要求2或权利要求3的任一项所述的半导体装置，其中，

所述n型半导体层具有n型GaN层，

在所述n型GaN层与所述p型半导体层之间设有多重量子阱层。

5.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的半导体装置，其中，

所述Ag层的膜厚做成为1nm以上、20nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述正电极以与所述金属氧化物层接触的方式设置。