[发明专利]一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201410135753.3 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103936414A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 林志盛;陈永虹;张子山;蔡劲军;蔡明通 | 申请(专利权)人: | 福建火炬电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 李秀梅 |
地址: | 362000 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 稳定 x9r 多层 陶瓷 电容器 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料,其原料组分及百分比含量为:
100{[xBaTiO3-(1-x)BiyNazTiO3]+awt%Nb2O5}+bwt%CaSiB2O6+cwt%RE2O3+dwt%BaMnO3+ewt%TMO;
其中:x=0.05~0.1,y=0.4~0.6,z=0.4~0.5,为[xBaTiO3-(1-x)BiyNazTiO3]的摩尔百分比含量;
a=0.6~1.2,b=2~4,c=0~0.5,d=0~0.15,e=0~0.3,a,b,c,d,e均是在100[xBaTiO3-(1-x)BiyNazTiO3]基础上,外加原料的质量百分比含量;
RE为La,Ce或者Nd的一种或多种,TM为Zn或者Mg的一种或多种。
2.如权利要求1所述的高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料,其特征在于:所述BiyNazTiO3为Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3。
3.如权利要求1所述的高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料,其特征在于:所述钙硼硅的氧化物摩尔比为:Ca:B:Si=1:1:2。
4.如权利要求1所述的一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料,其特征在于:所述钡锰氧化物的摩尔比为:Ba:Mn=1:1。
5.高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,按分子式[xBaTiO3-(1-x)BiyNazTiO3],其中的摩尔比x为0.05~x=0.05~0.1,y=0.4~0.6,z=0.4~0.5进行配料、球磨、干燥,粉碎过40目筛网,在1100~1200℃温度煅烧2~8小时合成共融化合物;
步骤2,以100重量份的钛酸钡和钛酸铋钠共融化合物为基材,加入0.6~1.2wt%的五氧化二铌,球磨混合、干燥,破碎过40目筛网,在1060~1180℃温度煅烧2~6小时合成化合物;
步骤3,根据公式100{[xBaTiO3-(1-x)BiyNazTiO3]+awt%Nb2O5}+bwt%CaSiB2O6+cwt%RE2O3+dwt%BaMnO3+ewt%TMO,以100重量份的步骤2所合成的化合物为基材,按原料的质量百分比含量添加:2~4wt%的钙硼硅化合物,0~0.5wt%的Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合,0~0.15wt%的锰钡氧化物,0~0.3wt%的氧化镁或氧化锌进行配料,用去离子水作为分散介质,球磨、烘干并造粒;
步骤4,将造粒后的粉料在5~10MPa下压制成圆片生坯;
步骤5,将步骤4制得的圆片生坯在空气气氛中升温至1080~1200℃,保温烧结2~6h,即制得高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料。
6.如权利要求5所述的高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法,其特征在于:所得的多层陶瓷电容器介质材料两侧烧制银电极,制成圆片电容器,测试并计算多层陶瓷电容器的介电常数ε,损耗角正切tanδ,电容温度系数及绝缘电阻率ρv。
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