[发明专利]MOS晶体管和导电插塞的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极，在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；

在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极、源极和漏极；

在所述介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口，所述第一开口与所述栅极位置相对应，所述第二开口与所述源极或漏极位置相对应；

以所述硬掩膜层为掩膜，沿所述第一开口和第二开口刻蚀所述介质层，沿所述第一开口刻蚀所述介质层形成的接触孔为栅极接触孔，沿所述第二开口刻蚀所述介质层形成的接触孔为第一源极接触孔或第一漏极接触孔，所述栅极接触孔和第一源极接触孔的底部具有聚合物层或者所述栅极接触孔和第一漏极接触孔的底部具有聚合物层；

去除所述聚合物层；

继续以所述硬掩膜层为掩膜，沿第一源极接触孔或第一漏极接触孔继续刻蚀所述介质层至露出所述源极或漏极，形成第二源极接触孔或第二漏极接触孔；

在所述栅极接触孔内填充满导电层形成栅极接触插塞，在所述第二源极接触孔内填充满导电层形成源极接触插塞或者在所述第二漏极接触孔内填充满导电层形成漏极接触插塞；

在所述介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口的方法包括：

在所述介质层上形成硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成第一图形化的光刻胶层；

以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为单层结构或叠层结构，所述硬掩膜为单层结构时，所述硬掩膜层的材料为氮化硼、氮化硅或氮化钛；所述硬掩膜层为叠层结构时，所述硬掩膜层为氮化硼层、氮化硅层或氮化钛层中的任意两层或三层结构。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述硬掩膜层上形成第一图形化光刻胶层之前，在所述介质层上形成硬掩膜层之后，还包括下列步骤：

在所述硬掩膜层上形成先进图形膜层；

在所述先进图形膜层上形成吸光层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层的步骤之前，在所述硬掩膜层上形成第二图形化的光刻胶层之后，还包括以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述先进图形膜层和所述吸光层。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述图形膜层上形成吸光层的步骤之后，在所述硬掩膜层上形成第一图形化的光刻胶层的步骤之前还包括在所述吸光层上形成底部抗反射层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述先进图形膜层和吸光层的步骤之前，在所述硬掩膜层上形成第一图形化的光刻胶层之后，还包括以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述底部抗反射层的步骤。

7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述先进图形膜层的材料为非晶碳，所述吸光层的材料为氮氧化硅、碳掺杂氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述聚合物层的方法包括：向栅极接触孔和第一源极接触孔或者栅极接触孔和第一漏极接触孔通入去除气体，所述去除气体包括氧气或氮气中的一种或两种。