[发明专利]非侵入式温度测量组件

权利要求书

1.一种与过程器皿壁一起使用的温度传感器组件，所述组件包括：

基座结构，包括：

第一表面，被适配为：与所述过程器皿壁的外表面的一部分形成接触区域，以及

第二表面，与所述第一表面分隔；

第一温度传感器，延伸穿过所述基座结构到达所述接触区域，以测量所述过程器皿壁的外表面的温度；

第二温度传感器，放置于所述基座结构的第二表面，以测量所述基座结构的第二表面的温度；以及

处理器，与所述第一温度传感器和所述第二温度传感器相连，并被适配为：将内部过程器皿壁温度值确定为所述过程器皿壁的外表面的测量温度、所述基座结构的第二表面的测量温度、基座结构参数和过程器皿壁参数的函数。

2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述基座结构参数包括：所述基座结构的导热值和所述基座结构在所述第一表面和所述第二表面之间的厚度。

3.根据权利要求2所述的组件，其中，所述过程器皿壁参数包括：所述过程器皿壁的厚度和所述过程器皿壁的导热值。

4.根据权利要求3所述的组件，其中，所述基座结构是平板。

5.根据权利要求3所述的组件，其中，所述基座结构是弯曲板，并且所述过程器皿壁参数还包括所述过程器皿壁的半径。

6.根据权利要求5所述的组件，其中，所述基座结构是管夹，并且所述过程器皿壁是管。

7.一种与过程器皿壁一起使用的温度测量组件，所述组件包括：

温度传感器组件，包括：

基座结构，包括：

第一表面，被适配为：与过程器皿壁的外表面的一部分形成接触区域，以及

第二表面，与所述第一表面分隔；

第一温度传感器，延伸穿过所述基座结构到达所述接触区域，以测量所述过程器皿壁的外表面的温度；以及

第二温度传感器，处于所述基座结构的第二侧面，以测量所述基座结构的第二表面的温度；以及

电子设备外壳，与所述温度传感器组件相连，所述外壳包括：

处理器，与所述第一温度传感器和所述第二温度传感器相连，并被适配为：将内部过程器皿壁温度值确定为所述过程器皿壁的外表面的测量温度、所述基座结构的第二表面的测量温度、基座结构的参数和过程器皿壁参数的函数；以及

通信接口，用于向控制或监控系统发送内部过程器皿壁温度值。

8.根据权利要求7所述的组件，其中，所述基座结构参数包括：所述基座结构的导热值和所述基座结构在所述第一表面和所述第二表面之间的厚度。

9.根据权利要求8所述的组件，其中，所述过程器皿壁参数包括：所述过程器皿壁的厚度和所述过程器皿壁的导热值。

10.根据权利要求9所述的组件，其中，所述基座结构是平板。

11.根据权利要求9所述的组件，其中，所述基座结构是弯曲板，并且所述过程器皿壁参数还包括所述过程器皿壁的半径。

12.根据权利要求11所述的组件，其中，所述基座结构是管夹，并且所述过程器皿壁是管。

13.根据权利要求7所述的组件，其中，所述通信接口包括用于向控制或监控系统无线传输所述内部过程器皿壁温度值的电路。

14.根据权利要求7所述的组件，其中，所述外壳还包括本地操作者接口，能够通过所述本地操作者接口向所述组件提供所述过程器皿壁参数。

15.根据权利要求14所述的组件，其中，所述基座结构参数能够通过所述本地操作者接口提供给所述组件。

16.一种非侵入式确定内部过程器皿壁温度值的方法，所述方法包括：

用基座结构覆盖过程器皿壁的外表面的一部分；

测量所述过程器皿壁的外表面的温度；

测量所述基座结构的表面的温度，所述表面背朝所述过程器皿壁；

基于所述过程器皿壁的外表面的测量温度、所述基座结构的表面的测量温度、基座结构参数和过程器皿壁参数，确定所述内部过程器皿壁温度值。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述基座结构参数包括：所述基座结构的导热值、以及所述过程器皿壁的外表面和背朝所述过程器皿壁的所述基座结构的表面之间的基座结构的厚度。