[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑衬底，所述支撑衬底由导电材料形成；

接触扩展层，所述接触扩展层在所述支撑衬底上；

发光半导体层，所述发光半导体层包括在所述接触扩展层上的第二导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；以及第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；

突出部分，所述突出部分被设置在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括与所述第一导电半导体层不同的材料；

光提取结构层，所述光提取结构在所述发光半导体层的顶表面上，具有凹凸结构；

钝化层，所述钝化层被设置在所述光提取结构层和所述发光半导体层之间；以及

第一电极层，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层上，

其中，所述钝化层和所述光提取结构层被设置在所述发光半导体层的侧表面上，

其中，所述凹凸结构与所述突出部分垂直地重叠，

其中，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层的一部分上，所述第一导电半导体层的一部分通过所述光提取结构层和所述钝化层的凹部来暴露，

其中，所述支撑衬底被电气地连接到所述第二导电半导体层，

其中，所述凹凸结构和所述突出部分包围所述第一电极层的区域，

其中，所述第一电极层被直接地连接到所述第一导电半导体层的顶表面，

其中，所述第一电极层设置在所述光提取结构层，所述突出部分以及所述钝化层的凹部中，并且所述第一电极层的左侧表面和右侧表面不与所述突出部分，所述钝化层以及所述光提取结构层直接接触，以及

其中，所述光提取结构层形成在包围所述发光半导体层的所述钝化层的顶表面和横表面上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述凹凸结构是圆柱形结构或圆锥形结构。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触扩展层接触所述第二导电半导体层，并且包括Ag、包含Ag的合金、Ni、包含Ni的合金、Al、或包含Al的合金中的至少一个，

其中面向所述支撑衬底的所述接触扩展层的表面包括Ag、Au、Ni、Ti以及Cu中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括在所述支撑衬底之下的第二电极层。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述第一导电半导体层包括p型杂质，并且所述第二导电半导体层包括n型杂质。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述突出部分具有不规则的图案。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述支撑衬底包括金属材料。

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述支撑衬底具有在5μm至1mm的范围中的厚度。

9.根据权利要求2至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述接触扩展层包括Ag材料，并且所述支撑衬底包括Si材料。

10.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中，所述钝化层包括SiO₂、SiN_x、MgF₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、TiO₂、ZnS、ZnO、CaF₂、AlN以及CrN中的至少一个。

11.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光器件，其中所述光提取结构层包含六边形的晶体材料。