[发明专利]一种半导体中异价金属离子掺杂的方法

权利要求书

1.一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，所述方法步骤如下：

步骤1、将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物M_xX_y纳米颗粒溶胶中，搅拌均匀，得到混合物a;

异价金属M为一价的Cu，Ag；X为硫、硒或碲的一种或多种；

步骤2、将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液，搅拌均匀，得到混合物b；

所述镉盐的质量浓度为0.1～0.2g/ml；

步骤3、将混合物b加入膦配体，于30～80℃搅拌反应2h～4h，洗涤离心，得到沉淀物c，将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中，得到异价掺杂的半导体；

膦配体为三丁基膦TBP、三正辛基膦、三苯基膦或亚磷酸三甲酯；非极性有机溶剂为甲苯或正己烷；

所述半导体为掺杂一价银离子和一价铜离子的半导体，呈现出零维纳米结构；

油酸、油胺、镉盐的甲醇溶液和膦配体的体积比为4:2:1:1-4:2:20:4。

2.根据权利要求1所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，步骤1中银的硫属化合物溶胶制备方法为：将银的甲苯溶胶和非极性有机溶剂混合均匀，加入硫族元素的前驱体溶液，混合均匀后于30℃～70℃搅拌反应0.5h～1h，洗涤离心，得到沉淀物d，并将沉淀物d分散在非极性有机溶剂中，得到银的硫属化合物溶胶；

硫的前驱体溶液的加入体积为每0.04mmol的纳米银量子点加入2～4ml；

硒的前驱体溶液的加入体积为每0.04mmol的纳米银量子点加入1～2ml；

硫的前驱体溶液制备方法为：将油酸、油胺和硫粉加热搅拌溶解后得到溶液f，再用甲苯分散得到硫的前驱体溶液；

硒的前驱体溶液制备方法：将十八烯与硒粉加热搅拌溶解后得到溶液b，再用甲苯分散，加入油酸、油胺得到硒的前驱体溶液。

3.根据权利要求1所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，步骤1中硫化亚铜溶胶制备方法为：将油酸和油胺，混合均匀，依次加入硬脂酸铜CuSt₂固体粉末、正十二硫醇，混合均匀，于200℃反应2h～3h，洗涤离心，得到沉淀物e，将沉淀物e分散在非极性有机溶剂中，得到硫化亚铜溶胶。

4.根据权利要求所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，步骤1中X为硫或硒。

5.根据权利要求所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，步骤2中所述镉盐为Cd(NO₃)₂·4H₂O。

6.根据权利要求所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，步骤3中所述膦配体为三丁基膦或三正辛基膦。

7.根据权利要求所述的一种半导体中异价金属离子掺杂的方法，其特征在于，所述非极性溶剂为甲苯。