[发明专利]一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器

权利要求书

1.一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，包括

位于芯片中央背光面的焦平面光敏元，

与光敏元连接的n型金属电极，

环绕所有光敏元的P型半导体材料构成的公共电极，

其特征在于，还包括遮光板，位于公共电极的迎光面，阻挡入射的红外光照射到公共电极迎光面，使入射光从遮光板的孔隙中进入红外焦平面探测器中。

2.根据权利要求1所述的一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，其特征在于，所述的遮光板采用不透射红外光或者反射红外光的材料制作得到，遮光板的形状与红外焦平面探测器公共电极的形状相同，遮光板上开设有透光用的孔隙。

3.根据权利要求1所述的一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，其特征在于，所述的遮光板的厚度为50μm～1mm。

4.根据权利要求1所述的一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，其特征在于，入射光照射到公共电极的背面，从遮光板的孔隙中垂直入射到探测器内，入射光被光敏元转换为电学信号，经n型金属电极输出到读出电路。

5.根据权利要求1所述的一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，其特征在于，所述的n型金属电极进行重掺杂，与n+型半导体材料形成欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的一种提高光电转化性能的红外焦平面探测器，其特征在于，所述的n型金属电极与公共电极的接触面设有钝化层。