[发明专利]一种柔性透明OLED的器件结构及制备方法有效
申请号: | 201410137250.X | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN103928625A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 詹秦川 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 透明 oled 器件 结构 制备 方法 | ||
1.一种柔性透明OLED的器件结构,其特征在于:包括:一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板(1),所述的矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成,矩形锯齿结构的若干个凸起部上设置有若干个第一透明电极(2),且矩形锯齿结构的若干个凹槽部内设置有若干个反射电极(3);且第一透明电极(2)和反射电极(3)上均由有机层(4)覆盖,有机层(4)上依次设置第二透明电极(5)和封装层(6)。
2.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构,其特征在于:
所述的第一透明电极(2)在垂直于柔性透明基板(1)方向上的相对高度高于反射电极(3)。
3.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构,其特征在于:
所述的反射电极(3)和第一透明电极(2)的宽度均为1-3mm。
4.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构,其特征在于:
所述的封装层(6)为薄膜封装层,且采用有机和无机阻隔薄膜交替叠加的方式封装。
5.一种柔性透明OLED的器件结构制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤1):在透明柔性基底上采用辊子压印的方法形成一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板(1),矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成;
步骤2):在柔性透明基板(1)上制备第一透明电极(2)和反射电极(3),且第一透明电极(2)位于柔性透明基板(1)的凸起部上,反射电极(3)位于柔性透明基板(1)的凹槽部内;
步骤3):在步骤2)的第一透明电极(2)和反射电极(3)之上依次制备蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,形成有机层(4);
步骤4):在步骤3)的有机层(4)上制备第二透明电极(5);
步骤5):在步骤4)制备的第二透明电极(5)上制备透明的封装层(6),最终获得所需的柔性透明OLED的器件结构。
6.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法,其特征在于:所述步骤2)中的第一透明电极(2)的制备方式为:采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成;或采用旋涂的办法制备透明纳米银线透明电极;或采用碳纳米管或石墨烯制备而成;
所述的反射电极(3)的制备方法为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成;且第一透明电极(2)在垂直于柔性透明基板(1)的方向上相对高度高于反射电极(3)。
7.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法,其特征在于:所述步骤3)中有机层(4)的制备方法为采用真空蒸镀的方式制成。
8.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法,其特征在于:所述步骤4)中第二透明电极(5)的制备方式为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法形成电极,在采用磁共溅射制备时,在电子注入层上蒸镀缓冲层。
9.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法,其特征在于:所述步骤5)中封装层(6)的制备方式为采用化学气相沉积或溅射的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410137250.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:全自动研磨机
- 下一篇:磁阻存储器的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择