[发明专利]半导体器件格栅阵列封装有效
申请号: | 201410137295.7 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN104882386B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 王志杰;白志刚;舒爱鹏;徐艳博;张虎昌;宗飞 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 格栅 阵列 封装 | ||
1.一种装配半导体管芯格栅阵列封装的方法,该方法包括:
提供由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件,其中每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并自第一表面凸出,并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上;
将半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面;
将该半导体管芯的电极电连接到该焊料沉积物;以及
用密封材料覆盖该半导体管芯和该绝缘材料的第一表面;
其中半导体管芯的电极与焊料沉积物之间的电连接通过接合线提供。
2.根据权利要求1所述的方法,其中提供格栅阵列组件包括:
将该焊料沉积物放置在模具中;以及
在该焊料沉积物的周围模制该电绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其中该焊料沉积物是焊球。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括使该焊料沉积物的第一部分和第二部分中的至少一个变形。
5.根据权利要求2所述的方法,其中每个焊料沉积物的第二部分从该绝缘材料的第二表面凸出。
6.根据权利要求2所述的方法,其中模具包括第一部分,第一部分具有多个凹槽,其中多个凹槽的每一个容纳每个焊料沉积物的第一部分。
7.根据权利要求2所述的方法,进一步包括选择性地沉积导电电镀区域到每个焊料沉积物的第一部分上。
8.根据权利要求7所述的方法,其中每个电镀区域包括在绝缘材料的第一表面上的导电迹线。
9.根据权利要求8所述的方法,其中该接合线选择性也接合到每一个所述电镀区域。
10.根据权利要求8所述的方法,其中在执行安装之后,半导体管芯的有源表面面对绝缘材料的第一表面,并且该选择性的电连接通过介于电极和导电迹线的相应的对准的安装垫片之间的焊料接合点提供。
11.一种半导体管芯格栅阵列封装,包括:
由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件,其中每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并自第一表面凸出,并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对第二表面上;
安装到该绝缘材料的第一表面的半导体管芯,该半导体管芯具有选择性地电连接到该焊料沉积物的多个电极,其中半导体管芯的电极与焊料沉积物之间的电连接通过接合线提供;以及
覆盖该半导体管芯和该绝缘材料的第一表面的密封材料。
12.根据权利要求11所述的半导体管芯格栅阵列封装,其中电绝缘材料是在该焊料沉积物周围模制的模制化合物。
13.根据权利要求12所述的半导体管芯格栅阵列封装,其中每个焊料沉积物的第二部分从该绝缘材料的第二表面凸出。
14.根据权利要求12所述的半导体管芯格栅阵列封装,包括沉积在每个焊料沉积物的第一部分上的导电电镀区域。
15.根据权利要求14所述的半导体管芯格栅阵列封装,其中每个导电电镀区域包括在绝缘材料的第一表面上的导电迹线。
16.根据权利要求15所述的半导体管芯格栅阵列封装,其中半导体管芯的有源表面面对绝缘材料的第一表面,并且电极通过介于电极和导电迹线的相应的对准的安装垫片之间的焊料接合点选择性地电连接到焊料沉积物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造