[发明专利]包括玻璃焊接掩模层的集成电路封装组件

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装组件，所述集成电路封装组件包括：

一个或多个内建层，其具有电布线特征，其中所述一个或多个内建层的第一材料具有第一热膨胀系数(CTE)；

管芯，其与所述一个或多个内建层的第一侧面耦合；

模塑料，用于至少部分地包封所述管芯，其中所述模塑料的第二材料具有第二热膨胀系数；以及

具有第三材料的焊接掩模层，所述第三材料不同于所述一个或多个内建层的所述第一材料和所述模塑料的所述第二材料，并且具有与所述第一热膨胀系数或所述第二热膨胀系数中的至少一个相匹配的第三热膨胀系数，其中具有所述第三材料的所述焊接掩模层包括玻璃片，所述玻璃片由硅石或石英构成，所述玻璃片与所述一个或多个内建层的第二侧面耦合，并具有设置在所述玻璃片中的开口以允许通过所述开口将封装级互连结构与所述电布线特征耦合，其中所述硅石或石英具有从3到7的热膨胀系数，并且所述玻璃片具有从15微米到50微米的硅石或石英的厚度，所述第二侧面被设置为与所述第一侧面相对；

其中所述开口中的两个开口之间的间距小于或等于400微米；并且

所述开口中的开口具有在100微米到300微米之间的直径。

2.如权利要求1所述的集成电路(IC)封装组件，其中所述硅石或石英是光学透明的。

3.如权利要求1-2中的任一项所述的集成电路(IC)封装组件，其中所述电布线特征通过所述一个或多个内建层传送所述管芯的电信号。

4.如权利要求3所述的集成电路(IC)封装组件，其中所述管芯是第一管芯，且所述电布线特征是第一电布线特征，所述集成电路封装组件还包括：

与所述第一管芯或所述一个或多个内建层的所述第一侧面耦合的第二管芯，其中所述一个或多个内建层包括第二电布线特征，所述第二电布线特征通过所述一个或多个内建层传送所述第二管芯的电信号。

5.如权利要求4所述的集成电路(IC)封装组件，其中所述第二管芯与所述一个或多个内建层的所述第一侧面耦合。

6.如权利要求3所述的集成电路(IC)封装组件，还包括：

所述封装级互连结构，其中所述封装级互连结构包括通过所述开口与所述一个或多个内建层的所述第二侧面耦合的球栅阵列(BGA)或连接盘栅格阵列(LGA)结构。

7.一种制造集成电路(IC)封装组件的方法，所述方法包括：

提供由第一材料构成的玻璃片，其中所述第一材料是硅石或石英；

形成封装衬底，包括在所述玻璃片上形成一个或多个内建层，所述一个或多个内建层具有电布线特征，并且其中所述一个或多个内建层的第一侧面直接与所述玻璃片耦合；

形成穿过所述玻璃片的开口，以形成由所述第一材料构成的焊接掩模层，从而允许通过所述开口使一个或多个封装级互连结构与所述电布线特征耦合，其中所述第一材料具有从3到7的第一热膨胀系数(CTE)，并且所述玻璃片具有从15微米到50微米的硅石或石英的厚度；以及

将一个或多个管芯与所述一个或多个内建层的第二侧面附接，所述第二侧面与所述内建层的所述第一侧面相对，所述一个或多个管芯包括第二半导体材料，所述第二半导体材料与所述第一材料不同并且具有第二热膨胀系数；

其中所述开口中的两个开口之间的间距小于或等于400微米；

所述开口中的开口具有在100微米到300微米之间的直径；并且

其中所述第一材料的所述第一热膨胀系数被选择为与所述封装衬底的部件的第三材料的第三热膨胀系数相匹配，其中所述第三材料不同于所述第一材料，并且其中所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数相匹配。

8.如权利要求7所述的方法，其中形成所述一个或多个内建层包括：

在所述玻璃片上沉积金属；

图案化所述金属，以界定所述电布线特征中的一个或多个；以及

在图案化的金属上沉积层压材料。

9.如权利要求7-8中的任一项所述的方法，其中附接所述一个或多个管芯形成所述一个或多个管芯与所述一个或多个内建层的电布线特征之间的电连接。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

形成模塑料，以至少部分地包封所述一个或多个管芯。