[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一发光二极管，包含：

基板，该基板包含一上表面、一底面相对于该上表面以及一侧表面；

第一型态半导体层，位于该上表面上，其中该第一型态半导体层包含第一部分以及第二部分，且该第二部分包含一边缘围绕该第一部分；

发光层，在该第一部分上；以及

第二型态半导体层，在该发光层上，

其中，该第二部分包含第一表面以及第二表面，在该第一表面以及该上表面之间具有第一距离，在该第二表面以及该上表面之间具有第二距离小于该第一距离，

其中，该第一表面与该第二表面具有不同粗糙度，且该第二表面位于该边缘。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基板包含透明基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第二表面的宽度介于5μm～15μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一距离比该第二距离大

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一表面包含第一平均粗糙度(Ra)大于100nm，及/或该第二表面包含第二平均粗糙度(Ra)介于10nm～100nm。

6.如权利要求1所述的发光二极管，还包含反射层在该底面上。

7.如权利要求1所述的发光二极管，还包含破坏区域，位于该侧表面上，且该破坏区域与该上表面及该底面之间具有一距离。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一表面比该第二表面粗糙。

9.一种制造发光二极管的方法，包含：

提供一基板；

提供一半导体叠层在该基板上，其中该半导体叠层自该基板开始依序包含一第一形态半导体层、一发光层及一第二形态半导体层；

图形化该第二形态半导体层、该发光层及该第一形态半导体层，以露出该第一形态半导体层的第一表面；

处理该第一表面的一部分以形成一第二表面，其中该第一表面的另一部分与该第二表面具有不同粗糙度；以及

提供一激光束穿透过该第二表面以切割该基板。

10.如权利要求9所述的制造发光二极管的方法，其中该激光束聚焦于该基板内部以形成一破坏区域在该基板内部，该破坏区域位于该第二表面之下。

11.如权利要求9所述的制造发光二极管的方法，其中该激光束通过该第一表面的该另一部分时会散射。

12.如权利要求9所述的制造发光二极管的方法，其中该第二表面比该第一表面的该另一部分平坦。