[发明专利]一种具有超强磁效应的有机发光二极管有效
申请号: | 201410138205.6 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN103887439A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 熊祖洪;令勇洲;张巧明;雷衍连 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人: | 康海燕 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 超强 磁效应 有机 发光二极管 | ||
1.一种具有超强磁效应的有机发光二极管,包括彼此层叠的阳极、空穴传输层、激基复合物发光层、电子传输层和阴极;其特征在于,所述激基复合物发光层是由空穴传输层材料即电子给体D与电子传输层材料即电子受体A共掺形成,发光层中电子给体材料HOMO能级上的空穴与电子受体材料LUMO能级上的电子结合,形成一种三重态能量不容易通过能量转移方式淬灭的电荷转移复合物或激基复合物;激基复合物发光层的单、三重激发态的能级差趋近零ΔEST~0,易于发生系间窜越(ISC)与反系间窜越(RISC)过程;
所述电子给体材料是具有三线态能量高、给电子能力强的小分子材料,材料选自:m-MTDATA、MeO-TPD;电子受体材料是具有三线态能量高、电子迁移率快、接受电子能力强的有机小分子材料,材料选自:3TPYMB;
所述电子给体材料占复合物总重量百分比为15%~30%;所述复合物发光层的厚度大于等于90纳米。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述器件复合物发光层厚度大于等于200纳米。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管,其特征在于,空穴传输层、电子传输层的厚度大于40纳米。
4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管,其特征在于,所述阳极采用无机材料,选自金属氧化物氧化铟锡、氧化锌或氧化铟锌,或选自金、铜和银,阴极采用锂、镁、钙、锶、铝或铟,或它们与铜、银、金的合金,或金属与金属氟化物交替形成的电极层。
5.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管,其特征在于,所述阳极优选氧化铟锡,所述阴极为叠层的LiF/Al层。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,该有机发光二极管结构为:ITO/m-MTDATA(40nm)/m-MTDATA:3TPYMB(25%,x nm)/3TPYMB(40nm)/LiF(1nm)/Al(120nm),其中25%表示给体材料占发光层中复合物的质量百分比,x≥90nm。
7.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管,其特征在于,所述器件通过有机分子束外延沉积技术和热电阻蒸发技术制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择