[发明专利]制备快恢复二极管工艺中的铂掺杂方法

权利要求书

1.一种制备快恢复二极管工艺中的铂掺杂方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；所述铂掺杂溶液为含有铂离子的硅腐蚀体系；

(2)红外退火，获得铂掺杂的硅材料，所述红外退火的温度为100～2000℃，所述红外退火的时间≥1s，所述红外退火过程中通入氮气；所述氮气的通入流量为0～30SLPM。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅腐蚀体系由氢氟酸与硝酸、盐酸或硫酸中的任意1种或至少2种的组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铂离子以氯亚铂酸铵的形式加入。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铂掺杂溶液为含有氯亚铂酸铵的氟化氢溶液。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含有氯亚铂酸铵的氟化氢溶液中，氯亚铂酸铵的浓度为0.01～10g/L去离子水；每克氯亚铂酸铵对应加入0.1～1000mL的氟化氢；所述氟化氢以30v％的浓度计。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间≥0.1s，浸泡温度为5～50℃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间0.1～2000s，浸泡温度为20～35℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外退火的温度为300～1500℃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外退火的时间为1～2000s。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外退火之后进行管式炉退火至少1min。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外退火之后进行管式炉退火1～120min。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述管式炉退火的温度为450～1000℃。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述管式炉退火过程中通入氮气。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述氮气的通入流量为1～20SLPM。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)之前进行步骤(2’)：清洗吸附了铂离子的硅片，除去硅片上多余的铂离子。

16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述管式炉退火之后将硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，进一步活化硅片中的铂离子。

17.如权利要求1～16之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在氯亚铂酸铵的氟化氢溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；

(2’)清洗吸附了铂离子的硅片，除去硅片表面游离的铂离子；

(2)将步骤(2’)清洗后的硅片依次进行红外退火和管式炉退火，将退火后的硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，取出晾干即获得铂掺杂的硅材料。

18.一种快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管采用权利要求1～17之一所述方法制备得到的铂掺杂硅材料制备得到。