[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，从层叠两片以上半导体基板而构成的晶片堆叠体的主面照射电子射线，其特征在于，该半导体装置制造方法具有如下工序：

从所述晶片堆叠体的一个主面照射电子射线的第一照射工序；

以与所述电子射线的照射中的加速能量相同的加速能量，从所述晶片堆叠体的另一个主面照射电子射线的第二照射工序；

预先向照射剂量监视器照射电子射线，以获取从所述晶片堆叠体的一个主面到另一个主面的多个半导体基板的照射剂量数据的获取工序；以及根据该获取工序所获得的所述照射剂量数据，对与照射至所述照射剂量监视器时的加速能量相同的电子射线的所需照射量及其照射次数进行计算的计算工序，

基于该所需照射量及其照射次数来进行所述第一照射工序和所述第二照射工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述第二照射工序的照射剂量与所述第一照射工序的照射剂量相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述第一照射工序的次数与所述第二照射工序的次数相同。

4.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述第二照射工序的照射剂量与所述第一照射工序的照射剂量不同。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述第一和第二照射工序之中的一个照射工序的照射剂量是所述第一和第二照射工序之中的另一个照射工序的照射剂量的1％以上且不到100％的值。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

将所述第一照射工序和所述第二照射工序作为一对，对该一对工序重复进行多次。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

对所述晶片堆叠体内相邻的半导体基板进行层叠，以使得各自的第一主面之间或第二主面之间彼此相对。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述晶片堆叠体内的半导体基板厚度的总厚度比所述电子射线对于所述半导体基板的射程要薄。

9.如权利要求8所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述晶片堆叠体内的半导体基板厚度的总厚度比所述电子射线对于所述半导体基板的射程的一半要薄。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述第一照射工序中的加速能量是使得通过所述第一照射工序导入到两片以上所述半导体基板中的晶体缺陷的浓度分布从所述晶片堆叠体的一个主面朝向另一个主面增加的加速能量。

11.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述获取工序中，将所述晶片堆叠体内的半导体基板中的离照射所述电子射线的电子射线源最近的半导体基板的照射剂量设为x，

所述获取工序中，将所述晶片堆叠体内的半导体基板中的离照射所述电子射线的电子射线源最远的半导体基板的照射剂量设为y，

所述计算工序中，将半导体基板所需的最低所需照射剂量设为D，使所述第一照射工序和第二照射工序的合计电子射线照射次数成为2D/(x+y)。

12.如权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

在所述第二照射工序之后，还包括进行热处理的电子射线照射后热处理工序。

13.如权利要求12所述的半导体装置制造方法，其特征在于，

所述电子射线照射后热处理工序的气氛中包含氢。