[发明专利]一种硅材料的铂掺杂方法及快恢复二极管有效
| 申请号： | 201410138731.2 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104979169B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王学良;陈宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 掺杂 方法 恢复 二极管 | ||
1.一种在制备快恢复二极管工艺中在硅材料中进行铂掺杂的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；所述铂掺杂溶液为含有氯亚铂酸铵的氟化氢溶液；
(2)采用氢氟酸和氟化铵的混合溶液对步骤(1)得到的硅片进行清洗；
(3)退火，获得铂掺杂的硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有氯亚铂酸铵的氟化氢溶液中，氯亚铂酸铵的浓度为0.01～10g/L去离子水；每克氯亚铂酸铵对应加入0.1～1000mL的氟化氢；所述氟化氢以30v％的浓度计。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间≥0.1s，浸泡温度为5～50℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡时间为0.1～2000s；浸泡温度为20～35℃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述氢氟酸和氟化铵的混合溶液按体积百分比包括如下组分：
氢氟酸 1～30％
氟化铵 1～30％
去离子水 余量；
所述氢氟酸的浓度以30v％计，氟化铵的浓度以98v％计。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述清洗的方式为冲洗。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的时间≥1min，所述清洗的温度为10～60℃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的时间为1～60min；所述清洗的温度为20～35℃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述退火的方式选自炉管退火和/或红外退火。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述退火之后可选将硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，进一步活化硅片中的铂离子。
11.如权利要求1～10之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)将硅片浸泡在氯亚铂酸铵的氟化氢溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；
(2)采用氢氟酸和氟化铵的混合溶液对步骤(1)得到的硅片进行清洗；
(3)将步骤(2)清洗后的硅片进行退火，将退火后的硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，取出晾干即获得铂掺杂的硅材料。
12.一种快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管采用权利要求1～11之一所述方法得到的铂掺杂硅材料制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410138731.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
