[发明专利]芯片缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 201410138986.9 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915361A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
将芯片版图划分成多个版图单元图形；
提供一制备有多个芯片的待测晶圆；
对所述待测晶圆进行扫描并根据所述多个版图单元图形分别提取所述多个芯片的物理单元图形；
将所述物理单元图形与相应的版图单元图形进行比对，以得到检测结果。
2.如权利要求1所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，所述芯片版图按照横向和纵向分别进行划分。
3.如权利要求2所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，所述芯片版图在横向和纵向均进行等距离划分。
4.如权利要求3所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，所述芯片版图在横向和纵向的等份均在10到100之间。
5.如权利要求1所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，在提供一制备有多个芯片的待测晶圆之前，在将芯片版图划分成多个版图单元图形之后，还包括将所述多个版图单元图形均导入缺陷检测设备。
6.如权利要求5所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，所述缺陷检测设备为光学检测设备。
7.如权利要求1所述的芯片缺陷的检测方法，其特征在于，所述芯片缺陷的检测方法用于检测光阻变形缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
