[发明专利]扩大沟槽开口的方法在审
| 申请号： | 201410138988.8 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928396A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 朱亚丹;周军;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩大 沟槽 开口 方法 | ||
1.一种扩大沟槽开口的方法，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽；
在所述沟槽内壁以及所述介质层上形成衬垫层；
扩大所述沟槽顶部的开口；以及
剥离所述衬垫层。
2.如权利要求1所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：所述沟槽为金属互联通孔。
3.如权利要求1所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：所述衬垫层材料为硅氧化物。
4.如权利要求3所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：采用化学气相淀积工艺形成所述衬垫层。
5.如权利要求3所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：所述化学气相淀积工艺采用气体为SiH4和O2。
6.如权利要求3所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：扩大沟槽开口的步骤包括：
步骤一：采用Ar、He和H2气体以扩大所述沟槽的开口；以及
步骤二：采用NF3气体进一步扩大所述沟槽的开口。
7.如权利要求6所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：步骤一中H2气体的流量为600～800SCCM，Ar气体流量0～70SCCM，He气体流量50～120SCCM；步骤二中NF3气体流量为350～700SCCM。
8.如权利要求6所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：所述步骤一和步骤二作为一个循环进行1-5次。
9.如权利要求6所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：步骤二之后，还包括采用O2和He气体去除所述NH3的步骤。
10.如权利要求1所述的扩大沟槽开口的方法，其特征在于：采用酸液剥离所述衬垫层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
