[发明专利]一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关

权利要求书

1.一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于包括由探测器D和限流电阻R1串联组成的敏感探测单元；由电容C和延时电阻R2串联组成的延时单元；由NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5和NMOS管M6组成的组合逻辑单元；由PMOS开关管M7和NMOS开关管M8组成的驱动单元；开关输入端Vin与公共接地端GND之间并联敏感探测单元和驱动单元，还并联PMOS管M1、PMOS管M2和NMOS管M4串联电路，以及PMOS管M5和NMOS管M6串联组成的非门级电路；探测器D的输入端与PMOS管M1与NMOS管M4的输入端连接；PMOS管M5和NMOS管M6的输出端连接PMOS开关管M7和NMOS开关管M8的输入端，同时通过电容C和延时电阻R2串联组成的延时单元与公共接地端GND连接；电容C的输出端连接PMOS管M2和NMOS管M3的输入端；NMOS管M3的输出端连接PMOS管M5和NMOS管M6的输入端；PMOS开关管M7与NMOS开关管M8串联连接点为驱动单元的输出端，并作为开关的输出端Vout。

2.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述探测器D为晶闸管、二极管或三极管。

3.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述限流电阻R1的阻值为1kΩ～1MΩ。

4.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述电容C的电容值为470pF～100nF。

5.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述延时电阻值R2的阻值通过式子R=T/[C·ln(V₀/V_t)]确定，其中T为开关关断时间设计值，C为电容值，V₀为电源电压值，V_t为NMOS管1（6）的阈值电压。

6.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述PMOS开关管M7和NMOS开关管M8之间采用绝缘隔离。

7.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5和NMOS管M6之间采用绝缘隔离。

8.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述NMOS管M3和NMOS管M4类型、尺寸和功能相同，位置可对调。

9.根据权利要求1所述脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于：所述PMOS管M1和PMOS管M2类型、尺寸和功能相同，位置可对调。