[发明专利]半导体封装结构及半导体工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构及半导体工艺。详言来说，本发明涉及一种堆叠半导体封装结构及其半导体工艺。

背景技术

常规堆叠半导体封装结构的制造方法如下，首先，将裸片及多个焊球(Solder Ball)接合至下衬底的上表面上。接着，利用封模工艺(Molding Process)形成封胶材料于所述下衬底的上表面上，以包覆所述裸片及所述焊球。接着，固化所述封胶材料后，利用高温激光于所述封胶材料上表面形成多个开口以显露所述焊球的上部。接着，置放上衬底于所述封胶材料上，使得位于所述上衬底下表面的焊料接触所述焊球。接着，以加热烤箱进行第一次加热，使得所述焊料及所述焊球熔融而形成内连接组件。接着，于所述下衬底的下表面形成多个焊球后，进行回焊工艺。最后再进行切割步骤。

在所述常规制造方法中，在高温激光于所述封胶材料形成开口时，所述高温激光会同时加热所述焊球的上部，使得所述焊球的上部的表面形成氧化层。因此，在接合过程中，所述焊料接触所述焊球的氧化层，即使加热后所述焊料与所述焊球之间仍存在所述氧化层。由于所述氧化层不导电，因而降低所述焊料与所述焊球间的电性连接效果。此外，在高温激光于所述封胶材料形成开口时，所述高温激光可能无法完全移除位于所述焊球的上部上的封胶材料，即，部分所述封胶材料会残留在所述焊球的上部上而形成残胶。因此，在接合过程中，所述焊料与所述焊球之间存在所述残胶。由于所述残胶不导电，因而降低所述焊料与所述焊球间的电性连接效果。

发明内容

本揭露的一方面涉及一种半导体封装结构。在一实施例中，所述半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、裸片及包覆材料。所述第一衬底具有上表面、多个第一衬底上导电垫及多个第一导电部，其中所述第一导电部位于所述第一衬底上导电垫。所述第二衬底具有下表面、多个第二衬底下导电垫及多个第二导电部，其中所述第一衬底的上表面面对所述第二衬底的下表面，所述第二导电部位于所述第二衬底下导电垫，且至少部分所述第二导电部位于所述第一导电部的凹槽内，或至少部分所述第一导电部位于所述第二导电部的凹槽内。所述裸片电性连接至所述第一衬底的上表面。所述包覆材料位于所述第一衬底的上表面及所述第二衬底的下表面之间，且包覆所述裸片、所述第一导电部及所述第二导电部。

本揭露的另一方面涉及一种半导体工艺。在一实施例中，所述半导体工艺包含以下步骤：(a)将裸片电性连接至第一衬底的上表面，其中所述第一衬底更具有多个第一衬底上导电垫，显露于所述第一衬底的上表面；(b)形成多个第一导电部于所述第一衬底上导电垫上；(c)施加包覆材料于所述第一衬底的上表面以包覆所述裸片及所述第一导电部，其中所述包覆材料为乙阶(B-stage)胶材；(d)形成多个开口于所述包覆材料以显露所述第一导电部；(e)压合第二衬底于所述包覆材料上，使得所述第二衬底的下表面粘附于所述包覆材料上，其中所述第二衬底更具有多个第二衬底下导电垫及多个第二导电部，其中所述第二衬底下导电垫显露于所述第二衬底的下表面，所述第二导电部位于所述第二衬底下导电垫上，且所述第二导电部插入所述第一导电部内，或所述第一导电部插入所述第二导电部内；及(f)进行加热步骤，使得所述包覆材料固化成丙阶胶材。

在本实施例中，由于所述第二导电部插入所述第一导电部内，或所述第一导电部插入所述第二导电部，因此可确保穿过所述残胶及氧化层，而可确保所述第二导电部与所述第一导电部间具有较佳的电性连接效果。

附图说明

图1显示本发明半导体封装结构的一实施例的剖视示意图。

图2显示图1的区域A的放大示意图。

图3显示图2的区域B的放大示意图。

图4显示本发明半导体封装结构的另一实施例的第一导电部及第二导电部的剖视示意图。

图5显示本发明半导体封装结构的另一实施例的第一导电部及第二导电部的剖视示意图。

图6至图13显示本发明半导体工艺的一实施例的示意图。

图14至图18显示本发明的第二衬底的第二导电部的制造方法的一实施例的示意图。

具体实施方式

参考图1，显示本发明半导体封装结构的一实施例的剖视示意图。所述半导体封装结构1包含第一衬底10、第二衬底12、裸片14、包覆材料18及多个下焊球20。