[发明专利]一种具有滤波性能的多层结构体无效
申请号: | 201410139179.9 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN103956984A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 李雁;陈相治;束锋;朱丹;戴永胜;周围;周衍芳;张超;杨茂雅;潘航;许心影;李永帅 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H03H5/00 | 分类号: | H03H5/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 马鲁晋 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 滤波 性能 多层 结构 | ||
技术领域
本发明属于电子技术领域,特别是一种小型化并且滤波性能优异的多层结构体。
背景技术
在射频领域,很多地方都需要小型化高性能且具有滤波功能的器件,希望所需频率的能量都可以通过网络,而最大程度的抑制干扰或者其它不希望在终端看到的频率。
随着无线通信技术和单片微波集成电路的快速发展,要求电子产品向小型化,低成本,高性能,高集成度的趋势发展。如何将原本在平面电路占大量面积的元件堆叠在三维立体结构中,从而使滤波器件在极小的面积下实现也是目前要解决的问题。多层结构体是用层叠式的电路结构来实现滤波电路的功能,技术上是通过LTCC工艺实现的,LTCC技术能够为无源和有源器件提供三维立体的集成平台,可实现电路立体化的要求,而且陶瓷元件有良好的特性,可以满足目前市场对小型化、低成本、高性能的要求。
目前对国内外设计的滤波结构体进行了大量的研究,大多数结构体低频段占用体积太大,集成度不高,已远远不能满足小型化的要求。此外,目前的大多数滤波器结构,如果要抑制通带附近的杂波频率,阻带内的衰减就显得不足了。因此,如何实现一种具有滤波性能的多层结构体,已成为业界急需解决的问题之一,现有技术尚无相关描述。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种带外抑制度优异、带内插入损耗小、可靠性高、集成度高、尺寸小的具有滤波性能的多层结构体。
本发明解决上述技术问题所采取的技术方案如下:一种具有滤波性能的多层结构体,该多层结构体整体是一个陶瓷体,多个电介质层层叠于该陶瓷体中,具体包括顶层金属地G1、底层金属地G2、第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6和第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6;
其中顶层金属地G1、底层金属地G2均为单层平板金属结构,第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6均为双层矩形螺旋线圈结构,第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6均为双层金属板结构;
第一耦合线电感L1与第一平板电容C1相并联,第一耦合线电感L1的一端与第一平板电容C1的一端相连,第一耦合线电感L1的另一端和第一平板电容C1的另一端分别接地,上述两个器件构成第一谐振器;
第二耦合线电感L2与第二平板电容C2相并联,第二耦合线电感L2的一端与第二平板电容C2的一端相连,第二耦合线电感L2的另一端和第二平板电容C2的另一端分别接地,上述两个器件构成第二谐振器;
第三耦合线电感L3与第三平板电容C3相并联,第三耦合线电感L3的一端与第三平板电容C3的一端相连,第三耦合线电感L3的另一端和第三平板电容C3的另一端分别接地,上述两个器件构成第三谐振器;
第四耦合线电感L4与第四平板电容C4相并联,第四耦合线电感L4的一端与第四平板电容C4的一端相连,第四耦合线电感L4的另一端和第四平板电容C4的另一端分别接地,上述两个器件构成第四谐振器;
第五耦合线电感L5与第五平板电容C5相并联,第五耦合线电感L5的一端与第五平板电容C5的一端相连,第五耦合线电感L5的另一端和第五平板电容C5的另一端分别接地。上述两个器件构成第五谐振器;
第六耦合线电感L6与第六平板电容C6相并联,第六耦合线电感L6的一端与第六平板电容C6的一端相连,第六耦合线电感L6的另一端和第六平板电容C6的另一端分别接地,上述两个器件构成第六谐振器。
所述第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器中的耦合线电感和平板电容均与顶层金属地G1和底层金属地G2平行放置;耦合线电感之间均互不相连,平板电容之间也均互不相连。
第一耦合线电感L1与第六耦合线电感L6是相同的结构,第二耦合线电感L2与第五耦合线电感L5是相同的结构,第三耦合线电感L3与第四耦合线电感L4是相同的结构,第一平板电容C1与第六平板电容C6是相同的结构,第二平板电容C2与第五平板电容C5是相同的结构,第三平板电容C3与第四平板电容C4是相同的结构。
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