[发明专利]用于铂掺杂的浸泡溶液及快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法

权利要求书

1.一种在制备快恢复二极管工艺中在硅材料中进行铂掺杂的浸泡溶液，其特征在于，所述溶液中含有氯亚铂酸铵和氢氟酸；

所述浸泡溶液中，氯亚铂酸铵的浓度为0.01～10g/L去离子水；所述浸泡溶液中，每克氯亚铂酸铵对应加入0.1～1000mL的氢氟酸；所述氢氟酸以30v％的浓度计。

2.一种快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在权利要求1所述的浸泡溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；

(2)退火，获得铂掺杂的硅材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述浸泡时间≥0.1s，浸泡温度为5～50℃。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述浸泡时间为0.1～2000s，浸泡温度为20～35℃。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)之前进行步骤(2’)：清洗吸附了铂离子的硅片，除去硅片上游离的铂离子。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述退火的方式选自炉管退火和/或红外退火。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述退火之后可选将硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，进一步活化硅片中的铂离子。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片浸泡在权利要求1所述的浸泡溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；

(2’)清洗吸附了铂离子的硅片，除去硅片表面游离的铂离子；

(2)退火，将硅片浸泡于盐酸和双氧水的溶液中，取出晾干即获得铂掺杂的硅材料。

9.一种快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管采用权利要求2～8之一所述方法制备得到的铂掺杂硅材料制备得到。