[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在半导体基板的主面侧上的晶体管；和

在所述半导体基板的背面侧上的电阻变化元件，

其中所述晶体管包括在所述半导体基板内的扩散层和低电阻部，所述低电阻部具有比所述扩散层的电阻低的电阻，所述低电阻部延伸到所述半导体基板的背面，

绝缘膜与所述低电阻部的背面接触设置，

所述绝缘膜具有面对所述低电阻部的开口，和

所述电阻变化元件通过所述开口连接到所述低电阻部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电阻变化元件从接近所述半导体基板的背面的一侧按顺序包括第一电极、存储部和第二电极，和

第一电极埋在所述开口中并连接到所述低电阻部。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电阻变化元件从接近所述半导体基板的背面的一侧按顺序包括存储部和第二电极，和

所述存储部埋在所述开口中并连接到所述低电阻部。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电阻变化元件从接近所述半导体基板的背面的一侧按顺序包括第一电极、存储部和第二电极，和

第一电极通过埋在所述开口中的导电性连接部连接到所述低电阻部。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述晶体管包括一对扩散层，

所述一对扩散层中的一个连接到第一配线，

所述一对扩散层中的另一个经由所述电阻变化元件连接到第二配线，

第一配线设置在所述半导体基板的主面侧上，和

第二配线设置在所述半导体基板的背面侧上。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中第一配线和第二配线经由其间的所述半导体基板在其中第一配线和第二配线层叠的方向上彼此重叠。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电阻变化元件从接近所述半导体基板的背面的一侧按顺序包括第一电极、存储部和第二电极，

第二电极连接到设置在所述半导体基板的背面侧上的背面侧多层配线部的第一端，

另一个低电阻部设置在所述半导体基板内，所述另一个低电阻部具有比所述扩散层的电阻低的电阻，所述另一个低电阻部与所述低电阻部电绝缘并延伸到所述半导体基板的背面，

所述绝缘膜与所述另一个低电阻部的背面接触设置，并且具有面对所述另一个低电阻部的另一个开口，和

所述背面侧多层配线部的第二端埋在所述另一个开口中，并且连接到所述另一个低电阻部。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述电阻变化元件是自旋转移力矩-磁性隧道结。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述电阻变化元件包括作为存储部的离子源层和电阻变化层，

所述离子源层包括可离子化的金属元素以及碲、硫和硒中的一种或多种硫族元素，和

所述电阻变化层使用电阻值比所述离子源层的电阻值更高的材料构成。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述晶体管是使用(110)面作为通道的p型Fin FET。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述晶体管是InGaAs系的NFET。

12.一种半导体装置，包括：

在半导体基板的主面侧上的晶体管；和

在所述半导体基板的背面侧上的导电性连接部，

其中所述晶体管包括在所述半导体基板内的扩散层和低电阻部，所述低电阻部具有比所述扩散层的电阻低的电阻，所述低电阻部延伸到所述半导体基板的背面，

绝缘膜与所述低电阻部的背面接触设置，

所述绝缘膜具有面对所述低电阻部的开口，和

所述导电性连接部通过所述开口连接到所述低电阻部。