[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的显示区和包围所述显示区的外围区；

其中，所述外围区包括信号线、与所述基板电连接的集成电路或者柔性印刷电路板以及形成在所述信号线上方的屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述信号线，用于屏蔽所述信号线上信号的EMI干扰，所述屏蔽层形成在所述显示区与所述集成电路或者柔性印刷电路板之间，所述屏蔽层与像素电极采用相同材料在同一制作工艺步骤中同时形成。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层电连接一电位，所述电位为+0.5V～-0.5V。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层的电位由所述集成电路或者柔性印刷电路板提供。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述显示区包括公共电极层，所述屏蔽层与所述公共电极层共电位。

5.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括位于所述外围区的GND线，并且所述屏蔽层与所述GND线电连接。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

位于所述基板上的平坦化层，所述平坦化层覆盖所述显示区和外围区；

位于所述平坦化层上的公共电极层，所述公共电极层位于所述显示区；

覆盖所述平坦化层和所述公共电极层的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述显示区和外围区；

位于所述第一绝缘层上的屏蔽层，所述屏蔽层通过过孔与所述平坦化层下方的GND线电连接；以及

位于所述第一绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过过孔与所述平坦化层下方的开关器件电连接。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述基板与所述平坦化层之间，还包括：

位于所述基板上的多晶硅层；

覆盖所述多晶硅层的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上的第一电极，所述第一电极包括TFT开关器件的栅极；

覆盖所述第一电极的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层上的第二电极，所述第二电极包括所述TFT开关器件的源极或漏极，所述源极或漏极通过贯穿所述第二绝缘层和栅极绝缘层的过孔与所述多晶硅层电连接；

所述平坦化层覆盖所述第二电极及所述第二绝缘层；

其中，所述第二电极包括所述GND线，所述屏蔽层通过穿透所述第一绝缘层和平坦化层的过孔与所述GND线电连接；

所述像素电极通过穿透所述第一绝缘层、公共电极层和平坦化层的过孔与所述TFT开关器件的漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一电极或第二电极中包括所述信号线。

9.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述信号线是时钟信号线。

10.一种显示面板，包括如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板。

11.一种显示装置，包括如权利要求10所述的显示面板。