[发明专利]一种多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极及其应用无效
申请号: | 201410140076.4 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN103887351A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 黄茜;冯雨萌;张晓丹;侯国付;许盛之;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 氧化铝 氧化锌 复合 陷光背 电极 及其 应用 | ||
1.一种多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极,其特征在于:由铝箔衬底、具有U孔结构的多孔氧化铝陷光层和氧化锌基透明导电薄膜材料叠加组成,其中具有U孔结构的多孔氧化铝陷光层的厚度为0.1-1.2 μm,氧化锌基透明导电薄膜厚度为0.5-2.0 μm。
2.根据权利要求1所述多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极,其特征在于:所述氧化锌基透明导电薄膜材料为ZnO:Al或ZnO:Ga,其中Al2O3、Ga2O3的掺杂比例为0.5-2 wt%。
3.一种如权利要求1所述多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极的制备方法,其特征在于步骤如下:
1)将纯度不小于99.99%的高纯铝箔依次进行退火、超声清洗、去除自然氧化层、电化学抛光、二次阳极氧化和/或扩孔,得到具有U孔结构的氧化铝陷光基板;
2)在具有U孔结构的氧化铝陷光基板上,采用磁控溅射技术制备一层氧化锌基透明导电薄膜材料,获得多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极。
4.根据权利要求3所述多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极的制备方法,其特征在于:所述高纯铝箔进行退火的方法是将高纯铝箔在450-550 oC马弗炉中保温3-8 h,随炉冷却至室温后取出;所述超声清洗的方法是将退火后的铝箔依次分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗3-5 min,以去除铝箔表面的污渍;所述去除自然氧化层的方法是将清洗后的铝箔置于40-70℃的5-10 wt%氢氧化钠溶液中腐蚀1-3 min,取出后用去离子水清洗干净;所述电化学抛光的方法是将铝箔装入电解装置,其中阳极为铝箔、阴极为石墨电极,然后浸入电抛光液中并采用搅拌设备对抛光液进行搅拌,抛光液为体积比为3-5:1的乙醇及高氯酸的混合液,室温下在恒压10-15 V下抛光1-3 min,最后用去离子水清洗;所述二次阳极氧化过程包括第一次阳极氧化、去除一次阳极氧化层和第二次阳极氧化,其中,第一次阳极氧化方法采用电解法,以浓度为0.05-0.2 M的磷酸为电解液,氧化电压为120-190 V,电解液温度为0-5 ℃,氧化时间为1-4 h,氧化后的铝箔用去离子水冲洗干净,去除一次阳极氧化层方法是将氧化后的铝箔放入浓度为6 wt%的磷酸与浓度为1.8 wt%的铬酸的混合酸溶液中进行腐蚀,混合酸溶液中磷酸与铬酸的体积比为1:1,在温度为40-70 ℃下浸泡4-8 h以去除氧化层,然后用去离子水清洗干净,第二次阳极氧化方法仍采用电解法,同样以浓度为0.05-0.2 M的磷酸为电解液,氧化电压为120-190 V,电解液温度控制在0-5 ℃,氧化时间为0.5-1 h;所述扩孔过程为采用5wt%的磷酸在室温下进行刻蚀,刻蚀时间为0-3 h,以实现多孔氧化铝陷光模板中纳米孔洞占空比的调控。
5.根据权利要求3所述多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极的制备方法,其特征在于:所述氧化锌基透明导电薄膜材料的制备方法:采用脉冲直流磁控溅射技术或射频磁控溅射技术,其工艺条件是:选用组分含量为0.5-2.0 wt%的ZnO:Al2O3或ZnO:Ga2O3的陶瓷靶材,衬底温度为100-500 ℃,氩气流量为5-70 sccm,溅射气压为1-10 mTorr,功率密度为0.2-2.0 W/cm2。
6.一种如权利要求1所述多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极的应用,其特征在于:用于NIP型硅基薄膜太阳电池, 所述NIP型硅基薄膜太阳电池包括非晶硅薄膜太阳电池、非晶硅锗薄膜太阳电池、微晶硅薄膜太阳电池、微晶硅锗薄膜太阳电池或纳米硅薄膜太阳电池,或者由上述单结硅基薄膜太阳电池组合成的多结叠层太阳电池。
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