[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410140183.7 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979393B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑凯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一电介质层；
在所述第一电介质层上形成N型石墨烯层；
图案化所述N型石墨烯层，以露出部分的所述第一电介质层；
在露出的所述第一电介质层和所述N型石墨烯层上形成第二电介质层；
图案化所述第二电介质层，以露出部分的所述N型石墨烯层，完全覆盖露出的所述第一电介质层；
在图案化的所述第二电介质层上形成P型石墨烯层；
图案化所述P型石墨烯层，以露出部分的位于所述N型石墨烯层上方的所述第二电介质层；
在所述半导体衬底上形成第三电介质层；
图案化所述第三电介质层，以露出部分的所述N型石墨烯层和所述P型石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在图案化所述第三电介质层之后在露出的所述N型石墨烯层上形成N型金属接触层和在露出的所述P型石墨烯层上形成P型金属接触层的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述N型金属接触层和所述P型金属接触层之后执行平坦化工艺以露出所述第三电介质层的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在执行所述平坦化步骤之后在所述第三电介质层上形成金属栅极的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型石墨烯层和所述P型石墨烯层为单层石墨烯结构。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三电介质层和所述第二电介质层的材料相同。
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