[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的微电子构件；

金属间介电层，依次位于所述半导体衬底之上；

金属互连线，镶嵌于所述金属间介电层内，并与所述微电子构件连接；

链式冗余金属结构，位于所述金属间介电层内，与所述金属互连线相绝缘；

介电层，位于所述金属间介电层之上；

接合焊盘，位于所述介电层内，并通过所述金属互连线与所述微电子构件连接；

散热器，位于所述介电层内，与所述接合焊盘相绝缘，且与所述链式冗余金属结构相连。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述链式冗余金属结构包括第一冗余金属和第二冗余金属，所述第一冗余金属与所述第二冗余金属通过通孔相连。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一冗余金属和第二冗余金属的材料选自铜、钨、铝、金和银中的一种。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热器不与电路中的电源或者接地的电压节点相连接，以避免在电路中产生不必要的电容。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热器从所述半导体器件的中心延伸到边缘。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热器沿着任意的一个主轴方向从所述半导体器件的中心向外边缘扩大。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述金属间介电层之上还包括绝缘层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，在所述绝缘层中形成有第一接触和第二接触。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触用以将所述散热器与所述链式冗余金属结构相连，所述第二接触用以将所述接合焊盘与所述金属互连线相连。