[发明专利]III–V族纳米结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410140814.5 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104973558B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;邓凤祥;胡立峰;赵宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 纳米 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种III-V族纳米结构，其特征在于：包括 III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构。
2.根据权利要求1所述的III-V族纳米结构，其特征在于：所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。
3.根据权利要求1所述的III-V族纳米结构，其特征在于：所述III-V族基底为GaN、GaAs或GaP。
4.根据权利要求1所述的III-V族纳米结构，其特征在于：所述每个孔的口径为10~50 nm。
5.权利要求1至4任一所述的III-V族纳米结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
s1、对III-V族基底进行处理，形成粗糙的表面；
s2、室温下，采用王水对步骤s1中处理后的III-V族基底进行进一步处理，获得具有三维层状多孔纳米结构的III-V族基底。
6.根据权利要求5所述的III-V族纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤s1的处理方法选自电化学法、光电化学法或者干法腐蚀中的一种。
7.根据权利要求5所述的III-V族纳米结构的制作方法， 其特征在于：所述步骤s2具体包括：在常温条件下将步骤s1中处理后的III-V族基底浸泡在王水溶液中，超声搅拌并静置，所述超声搅拌的时间为15min~40min；所述静置的时间为5h~91h。
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