[发明专利]一种铜铁锡硒薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄的制备方法，其特征在于，使用磁控溅射方法在玻璃衬底上自下而上依次沉积锡、铁、铜金属层，得到层状金属薄膜前驱体；然后，将所述层状金属薄膜前驱体置于石墨盒中并加入硒粉，一同放置于管式快速退火炉中进行后硒化处理，得到所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄；其中，所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金属元素含量是通过调节金属层的溅射沉积时间来调控。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述玻璃衬底的预处理为，用洗洁精清洗玻璃衬底表面，然后再依次使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗，清洗后置于去离子水中保存。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金属元素的摩尔比为Cu：Fe：Sn：Se=27.12：11.89：11.27：49.73。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金属元素的化学计量比为Cu：Fe：Sn：Se=2：1：1：4。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火温度为450℃～500℃，所述后硒化处理的温度为500℃。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在后硒化升温至500℃的过程中，在250℃时保温1min，在500℃时保温20min。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述后硒化处理的整个升温时间为360s。

8.一种按权利要求1-7之任一项所述的制备方法得到的铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄，其特征在于，所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄为致密、无孔洞、表面较平滑的结构。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜铁锡硒薄膜Cu₂FeSnSe₄用作薄膜太阳能电池吸收层。