[发明专利]具有双反射镜和凹槽形结构的原子气体腔器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410141911.6 申请日: 2014-04-10
公开(公告)号: CN103941577A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 许磊;王光池;郑林华;刘建勇 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号: G04F5/14 分类号: G04F5/14;B81B1/00;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 合肥金安专利事务所 34114 代理人: 金惠贞
地址: 230088 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 具有 反射 凹槽 结构 原子 体腔 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.具有双反射镜和凹槽形结构的原子气体腔器件,其特征在于:包括硅片和玻璃片,所述硅片的一侧面设有凹槽,凹槽内底部设有下反射镜;所述玻璃片的一侧面设有上反射镜;硅片和玻璃片通过键合形成原子气体腔器件,玻璃片上的上反射镜对应位于硅片的凹槽内,且与下反射镜对应。

2.如权利要求1所述的具有双反射镜和凹槽形结构的原子气体腔器件,其特征在于:所述凹槽的横截面为倒梯形,凹槽为湿法腐蚀形成,硅片的类型为(100)型硅片,且腐蚀形成的凹槽的侧壁和玻璃片的夹角为54.7度。

3.如权利要求2所述的具有双反射镜和凹槽形结构的原子气体腔器件,其特征在于:所述凹槽的宽度W为倒梯形的横截面的底面宽度,且为硅片厚度H的两倍以上。

4.制备如权利要求1所述的具有双反射镜和凹槽形结构的原子气体腔器件的制造方法,其特征在于具体制备操作步骤如下:

1).在硅片上制作凹槽

选择(100)型的硅片,利用二氧化硅作为掩膜层进行各向异性湿法腐蚀,在硅片的一侧面上形成一百个以上横截面为倒梯形的凹槽;

2).在玻璃上制作反射镜

采用蒸发工艺或溅射工艺,利用硬掩模或剥离技术,在玻璃片的一侧面上制作一百个以上的金属膜反射镜,即上反射镜;在硅片上的每个凹槽的底部制作一百个以上的金属膜反射镜,即下反射镜;

3).硅-玻璃键合

进行硅-玻璃键合,同时通入碱金属蒸汽和缓冲气体,使硅片和玻璃片密封形成原子气体腔器件;

4).划片

以硅片上的凹槽为单元,将整个硅片进行划分,形成一百个以上单个的原子气体腔器件。

5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于:步骤3)所述碱金属蒸汽为铷蒸汽或铯蒸汽,所述的缓冲气体为85%的氮气、10%的氢气和5%的二氧化碳的混合气体。

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