[发明专利]闪存的数据存储方法及装置在审

专利信息
申请号: 201410142928.3 申请日: 2014-04-10
公开(公告)号: CN103942151A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 谭星;陈寄福;吴大畏 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国;章小燕
地址: 518057 广东省深圳市南山区科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 数据 存储 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及数据存储领域,尤其涉及闪存的数据存储方法及装置。

背景技术

闪存的物理块存在两种模式,分别是单层单元模式(SLC,Single-Level cell)和多层单元模式(MLC,Multi-Level cell),所述多层单元模式还包括三层单元模式(TLC,Triple-Level cell),SLC物理块传输速度快、寿命长、性能稳定,MLC物理块传输速度较慢、寿命低、存储密度大。

通常将闪存的物理块划分成算法区和数据区,且算法区中物理块的工作模式通常被设为单层单元模式,而数据区中物理块的工作模式通常被设为多层单元模式,且闪存中工作模式为单层单元模式的物理块的数量一定,为了使闪存具有更大的数据存储容量,通常工作模式为单层单元模式的物理块的数量较少,因此闪存的读写性能不高。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供闪存的数据存储方法及装置,旨在提高闪存的读写性能。

为实现上述目的,本发明提供的闪存的数据存储方法,包括以下步骤:

将闪存中的物理块分为多个分区,且将所有所述分区分为第一类分区和第二类分区;其中,所述第一类分区中的物理块的工作模式为单层单元模式,所述第二类分区中的物理块的工作模式为多层单元模式和/或单层单元模式;

将所述第一类分区中每一分区的物理块划分为第一数据块队列和第一交换块队列,且利用所述第一数据块队列进行数据的写入和存储;

将所述第二类分区中每一分区的物理块划分为第二数据块队列和第二交换块队列,且将所述第二类分区中所有物理块的工作模式均设置为单层单元模式,并利用所述第二数据块队列进行数据的写入和存储。

优选地,所述将所述第一类分区中每一分区的物理块划分为第一数据块队列和第一交换块队列,且利用所述第一数据块队列进行数据的写入和存储的步骤包括:

配置所述第一类分区的数据存储容量;

利用所述第一数据块队列进行重要数据的写入和存储。

优选地,所述将所述第二类分区中每一分区的物理块划分为第二数据块队列和第二交换块队列,且将所述第二类分区中所有物理块的工作模式均设置为单层单元模式,并利用所述第二数据块队列进行数据的写入和存储的步骤包括:

实时检测所述第二类分区中工作模式为多层单元模式的物理块的安全等级值是否达到预设等级值;

在所述安全等级值没有达到预设等级值时,将所述工作模式为多层单元模式的物理块的工作模式从多层单元模式转换为单层单元模式;

将转换得到的所述工作模式为单层单元模式的物理块插入所述第一交换块队列中继续使用。

优选地,所述将所述第二类分区中每一分区的物理块划分为第二数据块队列和第二交换块队列,且将所述第二类分区中所有物理块的工作模式均设置为单层单元模式,并利用所述第二数据块队列进行数据的写入和存储的步骤包括:

在所述第二数据块队列中工作模式为单层单元模式的物理块的数据存储量达到第一存储阈值时,将第一预设数量的物理块的工作模式由单层单元模式转换为多层单元模式,且对第二预设数量的工作模式为单层单元模式的物理块进行空块回收;

在所述第二数据块队列中工作模式为多层单元模式的物理块的数据存储量达到第二存储阈值时,对第三预设数量的工作模式为多层单元模式的物理块进行空块回收,并对进行完空块回收的多层单元模式的物理块由多层单元模式转换为单层单元模式。

优选地,所述将所述第二类分区中每一分区的物理块划分为第二数据块队列和第二交换块队列,且将所述第二类分区中所有物理块的工作模式均设置为单层单元模式,并利用所述第二数据块队列进行数据的写入和存储的步骤还包括:

在所述闪存处于空闲状态时,判断所述第二数据块队列中没有任何数据存储的物理块的数量是否低于第四预设数量;

在所述第二交换块队列中所有物理块的数量低于第四预设数量时,对所述第二数据块队列中有数据存储的物理块进行空块回收。

本发明进一步提供的闪存的数据存储装置,所述装置包括:

分区模块,用于将闪存中的物理块分为多个分区,且将所有所述分区分为第一类分区和第二类分区;其中,所述第一类分区中的物理块的工作模式为单层单元模式,所述第二类分区中的物理块的工作模式为多层单元模式和/或单层单元模式;

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