[发明专利]像素阵列有效
申请号: | 201410143410.1 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN104808356B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 吴淇铭;阎淑萍;温一龙 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于包括:
多条第一信号线;
多条第二信号线,电性绝缘于上述第一信号线,且与上述第一信号线交错;
多个主动元件,分别与其中该第一信号线以及其中该第二信号线电性连接;
多个像素电极,与上述主动元件电性连接;
多条选择线,电性绝缘于上述第二信号线,且与上述第一信号线交错以形成多个交错处,上述交错处包括多个第一交错处以及多个第二交错处,上述选择线在上述第一交错处与上述第一信号线电性连接;
多个凸出物,设置于上述选择线与上述第一信号线之间,且上述凸出物位于上述第二交错处但不位于上述第一交错处;以及
绝缘层,至少位于上述第一信号线以及上述选择线之间,且上述凸出物位于该绝缘层与上述选择线之间,其中该绝缘层具有对应上述第一交错处的多个开口,上述选择线通过上述开口与上述第一信号线接触,且各该凸出物在该第一信号线上的正投影的轮廓相同于各该开口在该第一信号线上的正投影的轮廓。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中各该主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极,该通道层与该栅极上下相对且该绝缘层位于该通道层与该栅极之间,该源极以及该漏极分别位于该通道层的相对两侧。
3.根据权利要求2所述的像素阵列,其特征在于:其中上述凸出物与上述主动元件的上述通道层位于同一层。
4.根据权利要求2所述的像素阵列,其特征在于:其中各该选择线跨越多个上述凸出物,且上述选择线在上述第二交错处的高度大于上述选择线在其余位置的高度。
5.根据权利要求2所述的像素阵列,其特征在于:其中各该第一信号线跨越多个上述凸出物,且上述第一信号线在上述第二交错处的高度大于上述第一信号线在其余位置的高度。
6.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中上述凸出物的材质不同于该绝缘层的材质。
7.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中上述凸出物的数量相同于上述第二交错处的数量,且各该凸出物位于其中该第二交错处。
8.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中上述凸出物具有相同的形状及尺寸。
9.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中各该凸出物为岛状凸出物。
10.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中上述凸出物不与上述第一信号线直接接触。
11.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于:其中各该选择线仅与其中该第一信号线电性连接。
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