[发明专利]一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法有效
| 申请号： | 201410143733.0 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103924279A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李洪义;王金淑;苏鹏磊;王菲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C25D5/18;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 阳极 氧化 制备 高度 有序 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法，其特征在于，包含以下步骤：
（1）对金属钛片进行清洗处理；
（2）对金属钛片进行阳极氧化处理，将阳极氧化与脉冲控制技术相结合在金属钛基体上原位获得具有高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜，氧化电压为方波脉冲电压；
（3）将步骤（2）阳极氧化获得二氧化钛纳米管阵列薄膜在300-600℃范围内进行1-6h热处理，获得锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，电解质溶液为含有F离子的水溶液或有机溶剂。
3.按照权利要求1的方法，其特征在于，电解质溶液为NH4HF2和NH4H2PO4的混合水溶液或NH4HF2和乙二醇有机溶液。
4.按照权利要求1的方法，其特征在于，阳极氧化采用的电压范围为10V-80V，波形宽度为5-30min。
5.按照权利要求1-4的任一方法制备得到的高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜作为模板制备二氧化钛纳米管阵列薄膜的复合阵列。
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