[发明专利]一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置

说明书

技术领域

本发明属于存储器的数据存储技术领域，尤其涉及一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置。

背景技术

闪存存储设备按照其内部构架可以分为单层单元闪存（Single-Level Cell，SLC）和多层单元闪存（Multi-Level Cell，MLC）。闪存内部包含多个存储块（block），每个存储块包含多个页（page），每个页又包含多个字节（byte）。

现有的SLC型闪存中所有的页都具有写入速度快以及稳定可靠的特性，而MLC型闪存中只有部分页具有写入速度快以及稳定可靠的特性。通常，将数据只写入上述的“具有写入速度快且稳定可靠的特性的页”的写入方式定义为SLC方式写入，将数据写入MLC型闪存的所有页的写入方式定义为MLC方式写入。

然而，在对闪存存储设备以SLC方式进行数据写入，即对闪存存储设备中具有写入速度快且稳定可靠的特性的页包含的存储单元进行放电时，可能会出现放电过程易受到干扰、放电不彻底或者不能较精确的控制每个存储单元的充放电电压的情况导致写入的数据容易出错，从而可能会出现如图1所示的待写入数据与实际写入的数据不一致的情况，影响闪存存储设备数据写入的正确性和稳定性。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置，以提高闪存存储设备数据写入的正确性和稳定性。

本发明实施例是这样实现的，一种闪存存储设备中数据管理的方法，所述方法包括：

接收主机系统发送的写指令，所述写指令包含有待写入数据以及所述待写入数据写入的目标地址，所述目标地址为所述闪存存储设备中某一页的地址；

以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址；

判断写入所述目标地址的数据是否与所述待写入数据一致;

若不一致，则通过ECC码对写入所述目标地址的错误数据进行纠正，并在纠正不成功时，重新以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址。

本发明实施例的另一目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的装置，所述装置包括：

指令接收单元，用于接收主机系统发送的写指令，所述写指令包含有待写入数据以及所述待写入数据写入的目标地址，所述目标地址为所述闪存存储设备中某一页的地址；

写入单元，用于以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址；

判断单元，用于判断写入所述目标地址的数据是否与所述待写入数据一致;

处理单元，用于在所述判断单元判断结果为否时，通过ECC码对写入所述目标地址的错误数据进行纠正，并在纠正不成功时，重新以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例的闪存存储设备在接收到写指令后，以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址，并判断写入所述目标地址的数据是否与所述待写入数据一致，若不一致，则通过ECC码对写入所述目标地址的错误数据进行纠正，并在纠正不成功时，重新以SLC方式将所述待写入数据写入所述目标地址，直到写入所述目标地址的数据与所述待写入数据完全一致。通过本发明实施例有效的解决了在对闪存存储设备数据写入的过程中，闪存存储设备的某些存储单元在放电过程易受到干扰、放电不彻底或者不能较精确的控制每个存储单元的充放电电压的情况下，所导致的待写入数据不能正确、稳定的写入闪存存储设备的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术提供的数据写操作的示例图;

图2是本发明实施例一提供的闪存存储设备中数据管理方法的实现流程图；

图3是本发明实施例二提供的闪存存储设备中数据管理方法的实现流程图；

图4是本发明实施例三提供的闪存存储设备中数据管理装置的组成结构图图5是本发明实施例四提供的闪存存储设备中数据管理装置的组成结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

实施例一：