[发明专利]用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于抛光半导体晶片的方法，该方法在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中在提供抛光剂的同时借助于同时双面抛光来进行，所述下抛光垫覆盖下抛光板，所述上抛光垫覆盖上抛光板，且所述抛光板和所述抛光垫具有内边缘和外边缘，该方法包括：

用修整工具对上抛光垫和下抛光垫中的至少一个进行修整，覆盖有待修整的抛光垫的抛光板进行旋转，且修整工具以如下方式安装在间隙中：修整工具从待修整的抛光垫的内边缘延伸至外边缘，其中，在修整过程中，修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同；和

在修整后在间隙中同时双面抛光半导体晶片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在再次实施修整之前，实施一次或多次同时双面抛光。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在修整过程中将一种轮廓施加于所述间隙，根据该轮廓，在抛光垫的内边缘处的间隙的宽度大于在抛光垫的外边缘处的间隙的宽度。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述修整工具包括一个或多个环，所述一个或多个环放置在抛光装置的内、外驱动齿轮之间，且绕着所述环的中心通过内驱动齿轮或通过外驱动齿轮或通过内和外驱动齿轮进行旋转。