[发明专利]薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201410145928.9 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104979228A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 厚度 控制 方法 以及 半导体 加工 设备 | ||
1.一种薄膜厚度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；
S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。
2.根据权利要求1所述的薄膜厚度的控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括以下步骤：
S21，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并判断该差值是否超出预设的厚度范围内，若是，则进行步骤S22；
S22，根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。
3.根据权利要求1所述的薄膜厚度的控制方法，其特征在于，所述进行薄膜沉积工艺的工艺配方包括工艺时间和/或溅射功率。
4.根据权利要求3所述的薄膜厚度的控制方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在保持所述溅射功率不变的前提下，调节所述工艺时间。
5.根据权利要求3所述的薄膜厚度的控制方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在保持所述工艺时间不变的前提下，调节所述溅射功率。
6.一种半导体加工设备，包括用于对被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺模块，其特征在于，还包括检测单元、计算单元和控制单元，其中
所述检测单元设置在被加工工件的传输路径上，且位于所述工艺模块的下游，用于在完成薄膜沉积工艺之后的被加工工件到达所述检测单元所在位置处，并暂停时，检测该被加工工件的薄膜厚度，且将该薄膜厚度发送至所述计算单元；
所述计算单元用于计算来自所述检测单元的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并将该差值发送至所述控制单元；
所述控制单元用于根据所述差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。
7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述薄膜沉积工艺所沉积的薄膜材料为透明薄膜；
所述检测单元包括光学传感器。
8.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述薄膜沉积工艺所沉积的薄膜材料为非透明的金属薄膜；
所述检测单元包括超声波传感器。
9.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备或者化学气相沉积设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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