[发明专利]一种先打斜孔后注砂的低渗性土壤改良方法在审
申请号: | 201410145929.3 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN103959951A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 李保国;孙雪雁 | 申请(专利权)人: | 中国农业大学 |
主分类号: | A01B77/00 | 分类号: | A01B77/00;A01B79/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君 |
地址: | 100193 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 打斜 孔后注砂 低渗性 土壤改良 方法 | ||
1.一种先打斜孔后注砂的低渗性土壤改良方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)在待改良土壤中打斜向下的N个斜孔;
2)在斜孔中填充砂性土壤得到斜砂柱,以斜砂柱增加待改良土壤通透性;
所述N为大于等于1的自然数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当N大于1时,N个斜孔相互之间的排列关系为:平行排列、X交叉排列、延长线上交叉的线段中的任一种或几种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的斜孔,其与地平面呈0(不含)~90(不含)度夹角。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的斜孔,其垂直深度为5(含)~150(含)cm。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的斜孔,垂直该斜孔的横截面为边长1(含)~10(含)cm的正方形或直径1(含)~10(含)cm的圆形。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的斜孔的分布密度为:每块水平断面为1m2的正方形的长方体土体分布1~40个斜孔。
7.根据权利要求1~6任一项所述的先打斜孔后注砂的低渗性土壤改良方法在提高待改良土壤通透性上的应用。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,所述待改良土壤为黏质土、粘渍板土、中低产田、滨海盐渍土、黏质斑块或低渗性草坪土中的任一种。
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