[发明专利]像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD有效

专利信息
申请号: 201410146175.3 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN103941512A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 王新星;姚继开 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/161 分类号: G02F1/161
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 隔墙 制作方法 阵列 以及 amecd
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD。

背景技术

电致变色显示是一种新型的显示技术,与液晶显示相比,其具有清晰度高、视角大、工作电压低、以及不需要背光和偏光片等优点,因此,得到了快速的发展。

目前主流的ECD(Electrochomeric Display,电致变色显示器)为AMECD(Active Matrix ECD,有源矩阵式电致变色显示器),其包括两种进行彩色显示的结构:第一种是RGB(红绿蓝)彩膜+一种EC电解液的结构,第二种是RGB三种EC电解液的结构。

对于任一种进行彩色显示的AMECD结构,为了避免相邻像素显示色彩的串扰,目前的AMECD中一般会设置有用于分隔相邻像素的像素分隔墙。其中,目前制作像素分隔墙的步骤包括:在表层包含像素电极的第一基板上涂布一层光刻胶;采用掩膜版对所述光刻胶进行曝光,其中,所述像素电极对应所述掩膜版的不透光区域,具体如图1A所示;清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的光刻胶,形成与所述像素电极间隔设置的像素分隔墙,具体如图1B所示。

由于光线存在衍射和散射现象,因此制作出的像素分隔墙的实际宽度要比掩膜板的透光区域宽度大得多,使得像素分隔墙与像素电极部分交叠,具体如图1B所示;而且,由于目前很难实现像素电极与掩膜版的不透光区域位置的精准对应,因此,也可能导致制作出的像素分隔墙与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果。

综上所述,采用目前方法制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD,用以解决现有技术中存在的制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果的问题。

第一方面,本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法,包括:

在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;

采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;

在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;

在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;

加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;

其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。

较佳地,所述在混合液中施加第二直流电压信号,具体包括:

将一端接地的电极引线通入所述混合液中。

较佳地,该方法还包括:在设定时长到达后,拆除所述电极引线。

较佳地,所述聚合物单体包括丙烯酸酯或者环氧树脂;

当所述聚合物单体为丙烯酸酯时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:

在温度为150℃~230℃的条件下,对所述聚合物单体进行不小于1小时的热固化;

当所述聚合物单体为环氧树脂时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:

在功率不小于1焦耳每秒的条件下,对所述聚合物单体进行1秒~10秒的紫外固化。

较佳地,所述设定时长大于0且不大于1分钟。

较佳地,所述第一直流电压信号的电压值大于0伏特且不大于50伏特。

较佳地,所述电润湿溶剂包括极性溶剂和非极性溶剂;

所述极性溶剂包括水、氯化钠水溶液和氯化钾中的一种;

所述非极性溶剂包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一种。

较佳地,所述固体介质层的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化铝中的一种。

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