[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

器件载体；

半导体芯片，附接至所述器件载体；以及

盖体，具有凹陷，其中所述盖体附接至所述器件载体，所述半导体芯片被容纳在所述凹陷中并且所述盖体包括半导体材料，所述盖体还具有至少一个开口，所述至少一个开口与芯片电极竖直对准，并且所述芯片电极穿过所述开口电连接至所述电子装置的外部接触端子，其中所述盖体包括背离所述半导体芯片的外表面，以及其中所述外部接触端子位于所述盖体的外表面附近。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述凹陷形成在所述半导体材料中。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件载体包括选自由以下项构成的组的材料：半导体材料，印刷电路板，引线框架，以及金属键合陶瓷。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件载体包括电绝缘层。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述半导体芯片附接至所述电绝缘层。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体芯片是功率半导体芯片。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置的所有外部接触端子位于所述盖体的外表面附近。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述盖体包括与所述外表面相对的内表面，以及其中所述盖体的内表面由包括所述半导体芯片的第一支撑结构支撑。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述盖体包括与所述外表面相对的内表面，以及其中所述盖体的内表面由第二支撑结构支撑，所述第二支撑结构是与所述盖体整体形成的托脚部分。

10.一种电子装置，包括：

多器件载体；

多个半导体芯片，附接至所述多器件载体；以及

盖体的阵列，具有多个凹陷，其中所述盖体的阵列附接至所述多器件载体，所述多个半导体芯片被容纳在所述多个凹陷中并且所述盖体的阵列包括半导体材料，所述盖体的阵列中的至少一个盖体具有至少一个开口，所述至少一个开口与芯片电极竖直对准，以及所述芯片电极电连接至所述电子装置的外部接触端子，其中所述盖体包括背离所述半导体芯片的外表面，以及其中所述外部接触端子位于所述盖体的外表面附近。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述盖体的阵列包括半导体晶片。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述多个凹陷形成为所述半导体材料中的凹陷图案。

13.根据权利要求10所述的装置，其中所述多器件载体包括半导体晶片。

14.一种用于制造电子装置的方法，包括：

提供器件载体；

将半导体芯片附接至所述器件载体；

形成具有凹陷的盖体；

将所述盖体附接至所述器件载体，其中所述半导体芯片被容纳在所述凹陷中；以及

在所述盖体中形成至少一个开口，其中所述开口与芯片电极竖直对准，并且所述芯片电极穿过所述开口电连接至所述电子装置的外部接触端子，其中所述盖体包括背离所述半导体芯片的外表面，以及其中所述外部接触端子位于所述盖体的外表面附近。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

使用导电材料至少部分地填充所述开口以生成所述半导体器件的外部接触端子。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

通过穿过所述开口处理所述半导体芯片在所述半导体芯片上形成芯片电极；以及

使用导电材料填充所述开口以生成所述半导体器件的外部接触端子。

17.一种用于制造电子装置的方法，包括：

提供多器件载体；

将多个半导体芯片附接至所述多器件载体；

将包括半导体材料的多个盖体附接至所述多器件载体，其中多个凹陷形成在所述半导体材料中并且所述多个半导体芯片被容纳在所述多个凹陷中；

在所述多个盖体中形成多个开口，其中至少一个开口与芯片电极竖直对准，并且所述芯片电极穿过所述开口电连接至所述电子装置的外部接触端子，其中所述盖体包括背离所述半导体芯片的外表面，以及其中所述外部接触端子位于所述盖体的外表面附近；并且此后

将所述多器件载体分离为多个半导体器件。