[发明专利]小尺寸贴片印迹面积的功率半导体器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410146382.9 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN104979306B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 高洪涛;鲁军;鲁明朕;叶建新;霍炎;潘华 申请(专利权)人: 万国半导体(开曼)股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/58
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 英属西印度群岛,开曼群岛,大开曼岛KY1*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要:
搜索关键词: 互联 芯片正面 侧缘面 塑封体 包覆 贴片 印迹 制备 芯片 功率半导体封装 功率半导体器件 功率半导体 外露 粘附
【权利要求书】:

1.一种功率半导体器件,其特征在于,包括:

一基座,及分别粘附于基座的正面和背面的第一、第二芯片;

设于第一芯片正面的一个或多个互联片和设于第二芯片正面的一个或多个互联片;

一包覆所述第一、第二芯片、及基座和各互联片的塑封体,其包覆方式为至少使每个互联片的一个侧缘面从塑封体的一个侧缘面中予以外露;

第一芯片的正面设置有第一电极和第二电极、第二芯片的正面设置有第三电极和第四电极,第一、第二芯片各自背面的电极通过导电材料分别对应粘附在基座的正面和背面。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,基座的一个侧缘面与每个互联片的外露于塑封体的侧缘面共面,也从塑封体的用于外露出互联片侧缘面的该侧缘面中予以外露。

3.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,基座被塑封体包覆在内而没有侧缘面外露。

4.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第一芯片正面的至少一个互联片的一个顶面从塑封体的顶面中外露。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第一芯片正面的每个互联片的顶面均被塑封体包覆在内。

6.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第二芯片正面的至少一个互联片的一个顶面从塑封体的底面中外露。

7.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第二芯片正面的每个互联片的顶面均被塑封体包覆在内。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,第一、第二芯片各自正面的各个电极上分别粘附有互联片。

9.如权利要求1所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第一或第二芯片各自正面的两个电极上的主、副互联片之间的厚度不相等,主互联片本质为矩形并籍由其一角部具有的一切口而形成L形,副互联片设置在该切口内,主互联片的厚度大于副互联片的厚度。

10.如权利要求9所述的功率半导体器件,其特征在于,设于第一芯片正面的主互联片的顶面从塑封体的顶面外露,设于第二芯片正面的主互联片的顶面从塑封体的底面外露;以及

主互联片的顶面上粘贴有一个与主互联片形状相适配的L形散热片,以便与主互联片对准重合,并在散热片的一个侧缘上延伸出一个与散热片垂直的侧翼,散热片的该侧缘与塑封体外露出互联片的侧缘面对齐。

11.一种功率半导体器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一具多个基座的第一引线框架;

在每个基座正面粘贴一个第一芯片,并翻转第一引线框架后在每个基座背面粘贴一个第二芯片;

提供一具多个互联片的第二引线框架安装到多个第一芯片之上,以便在每个第一芯片正面的各个电极上均对准粘附一个互联片;

提供一具多个互联片的第三引线框架安装到多个第二芯片之上,以便在每个第二芯片正面的各个电极上均对准粘附一个互联片;

实施塑封工艺,利用塑封料包覆所述第一、第二和第三引线框架,和包覆每个第一、第二芯片;

切割相邻基座之间的叠层,所述叠层包括第一、第二和第三引线框架及塑封料;

每个基座及其上粘附的第一、第二芯片均被一籍由塑封料切割而来的塑封体包覆住,塑封体还包覆设于该基座上第一芯片正面的一个或多个互联片和包覆设于该基座上第二芯片正面的一个或多个互联片,使每个互联片的一个侧缘面均从塑封体的一个切割侧缘面中予以外露;

第一芯片的正面设置有第一电极和第二电极、第二芯片的正面设置有第三电极和第四电极,第一、第二芯片各自背面的电极通过导电材料分别对应粘附在基座的正面和背面。

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