[发明专利]一种测量发光二极管热特性的方法及其装置

权利要求书

1.一种测量发光二极管热特性的方法，包括定标阶段和测量阶段，其特征在于：

所述定标阶段包括：将所述发光二极管多次分别置于不同的环境温度下，每次分别使所述发光二极管通入电流脉冲，并测量所述发光二极管两端的电压，得到所述不同的温度下所述发光二极管的电压电流特性曲线；

所述测量阶段包括：将所述发光二极管置于一恒定的环境温度下，使所述发光二极管通入工作电流，在所述发光二极管的结温上升过程中连续测量所述发光二极管两端的电压和通过的电流；根据所述定标阶段的特性曲线以及所述测量阶段测得的电压值和电流值，求得所述发光二极管的温升曲线。

2.如权利要求1所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，所述定标阶段还包括：根据所述不同的温度下所述发光二极管的电压电流特性曲线，转化为所述发光二极管在不同电流下的电压温度特性曲线。

3.如权利要求1所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，还包括数据处理阶段，根据所述温升曲线得到所述发光二极管的结构函数曲线，根据所述结构函数曲线确定所述发光二极管从芯片到基板的各层材料的热阻和热容。

4.如权利要求3所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，所述温升曲线是通过滤波、反卷积、网络变换和微积分方法处理得到所述发光二极管的结构函数曲线。

5.如权利要求1所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，所述电流脉冲的电流范围为0至所述工作电流。

6.如权利要求1所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，所述电流脉冲的占空比为10^-1～10^-6。

7.如权利要求1至6任一项所述的测量发光二极管热特性的方法，其特征在于，所述电流脉冲的脉冲宽度为0.1～10μs。

8.一种测量发光二极管热特性的装置，用于权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，包括脉冲恒流控制电路、数据采集器和控温单元，其中：

所述脉冲恒流控制电路连接发光二极管，为所述发光二极管提供驱动电流，使所述发光二极管能通入电流脉冲或者工作电流；

所述控温单元用于控制所述发光二极管所置于的环境温度；

所述数据采集器连接所述脉冲恒流控制电路和所述发光二极管，用于采集所述发光二极管的电流及电压值。

9.如权利要求8所述的测量发光二极管热特性的装置，其特征在于，所述控温单元包括控温器和恒温器，其中所述控温器连接所述恒温器，并且控制所述恒温器中的温度；所述发光二极管置于所述恒温器中。