[发明专利]制备多组分膜的方法

权利要求书

1.将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，包括以下步骤：

a)将基底与包含HGeCl₃的Ge前体接触，以与所述基底反应并提供包含Ge的第一涂层；

b)引入吹扫气体以去除任何未反应的Ge前体；

c)将所述包含Ge的第一涂层与包含Te前体的Te前体接触，其中所述Te前体的至少一部分与包含在其中的Ge反应，以提供包含Ge和Te的第二涂层；

d)引入吹扫气体以去除任何未反应的Te前体；

e)将所述包含Ge和Te的第二涂层与Sb前体接触，其中所述Sb前体的至少一部分与包含在其中的Ge和Te的至少一部分反应，以提供包含Ge、Te和Sb的第三涂层；和

f)引入吹扫气体以去除任何未反应的Sb前体；

其中重复步骤(a)至(f)以形成多个涂层并提供所述膜。

2.根据权利要求1所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Te前体包含选自如下的甲硅烷基碲：具有通式(R¹R²R³Si)₂Te的二甲硅烷基碲；具有通式(R¹R²R³Si)TeR⁴的烷基甲硅烷基碲；及其混合物，其中R¹、R²、R³和R⁴各自独立地选自氢；直链、支链或不饱和C_1-10烷基；C_4-10环烷基；和C_4-12芳基。

3.根据权利要求2所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Te前体包含具有以下通式(R¹R²R³Si)₂Te的二甲硅烷基碲，其中R¹、R²和R³独立地选自氢；直链、支链或不饱和C_1-10烷基；C_4-10环烷基；和C_4-12芳基。

4.根据权利要求3所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Te前体包含双(三甲基甲硅烷基)碲。

5.根据权利要求1所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Sb前体包含选自如下的化合物：具有通式(RO)₃Sb的化合物；具有通式(R¹R²R³Si)₃Sb的化合物；和具有通式(R¹R²R³Si)₂R⁴Sb的化合物，其中取代基R、R¹、R²、R³和R⁴各自独立地为：氢；直链、支链或不饱和C_1-10烷基；和C_4-10环烷基；和C_4-12芳基。

6.根据权利要求1所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Sb前体包含具有通式SbX_n的化合物，其中X是选自如下的亲核基团：OR(烷氧基)、F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)、NR₂(氨基)、CN(氰基)、OCN(氰酸根)、SCN(硫氰酸根)、二酮根(diketonate)、羧基及其混合物；且n等于Sb的氧化态；并且R如上所定义。

7.根据权利要求5所述的将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，其中所述Sb前体包含三(三甲基甲硅烷基)锑或Sb(OEt)₃。