[发明专利]半导体装置与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一导电型；

一漏极区、一源极区、与一阱位于该基板中，该阱位于该源极区与该漏极区之间，该阱具有一第二导电型，且该第一导电型与该第二导电型相反；以及

多个掺杂区位于该阱中，所述掺杂区水平地与垂直地完全不重迭，每一所述掺杂区包括该第一导电型的一较下部分，与堆叠于该较下部分上的该第二导电型的一较上部分。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂区自该基板的表面向下的深度，由该源极区至该漏极区的方向递增或递减。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于两个所述掺杂区之间的掺杂区，具有自该基板的表面向下的最大深度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于两个所述掺杂区之间的掺杂区，具有自该基板的表面向下的最小深度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该阱掺杂有一第一掺杂浓度，该较下部分掺杂有一第二掺杂浓度，且该较上部分掺杂有一第三掺杂浓度；以及

该第二掺杂浓度与该第三掺杂浓度均高于该第一掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该阱掺杂有一第一掺杂浓度，该较下部分掺杂有一第二掺杂浓度，且该较上部分掺杂有一第三掺杂浓度；

以及该第二掺杂浓度高于该第一掺杂浓度，且该第一掺杂浓度高于该第三掺杂浓度。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂浓度为1e11原子/cm²至1e13原子/cm²。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺杂浓度为1e11原子/cm²至1e13原子/cm²。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一导电型；

一外延结构，具有该第一导电型且位于该基板上；

一漏极区与一源极区，位于该外延结构中；

一阱，位于该漏极区与该源极区之间，该阱位于该基板与该外延结构中，该阱具有一第二导电型，且该第一导电型与该第二导电型相反；

一第一掺杂区，位于该基板的该阱中；以及

一第二掺杂区，位于该外延结构的该阱中，

其中该第一掺杂区与该第二掺杂区水平地与垂直地完全不重迭；以及

其中该第一掺杂区与该第二掺杂区各自包含该第一导电型的一较下部分，与堆叠于该较下部分上的该第二导电型的一较上部分。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该外延结构由多个外延层组成，且该第二掺杂区位于所述外延层的最上层中。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，每一所述外延层包括至少一掺杂区，且所述掺杂区垂直地与水平地互相偏离。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，位于两个所述掺杂区之间的掺杂区，具有自该基板的表面向下的最大深度。

13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，位于两个所述掺杂区之间的掺杂区，具有自该基板的表面向下的最小深度。

14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

该阱掺杂有一第一掺杂浓度，该较下部分掺杂有一第二掺杂浓度，且该较上部分掺杂有一第三掺杂浓度；以及

该第二掺杂浓度与该第三掺杂浓度均高于该第一掺杂浓度。