[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底(10)上的至少一个有源层(14，16)；以及

至所述至少一个有源层的第一触点(24、26、28)，所述第一触点包括与所述至少一个有源层接触的金属以及金属上的氮化钛钨TiW(N)层(30)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个有源层包括GaN层(14)。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，通过A1GaN层(16)使GaN层(14)与所述至少一个触点(24、26、28)分离。

4.根据权利要求1-3中任一项权利要求所述的半导体器件，其中，金属包括Ti/Al夹层。

5.根据权利要求1-3中任一项权利要求所述的半导体器件，其中，金属是镍。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，第一触点(24、26、28)由电绝缘材料(22)横向划界。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，电绝缘材料(22)是SiN。

8.根据权利要求5-7中任一项权利要求所述的半导体器件，其中，半导体器件包括与第一触点(28)空间上分离的另外触点(24、26)，所述另外触点包括与所述至少一个有源层(14、16)接触的Ti/Al夹层以及在Ti/Al夹层上的氮化钛钨TiW(N)层(30)。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一触点(28)是肖特基触点，所述另外触点(24、26)是欧姆触点。

10.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其中，第一触点(28)是栅极触点，所述另外触点(24、26)是源极触点和漏极触点之一。

11.根据权利要求1-10中任一项权利要求所述的半导体器件，其中，TiW(N)层(30)包括子层的叠层，所述子层包括第一TiW子层、第二TiW子层以及夹在第一TiW子层与第二TiW子层之间的TiW(N)子层，其中TiW(N)子层的厚度优选地超过了第一TiW子层与第二TiW子层的组合厚度。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底(10)；

在所述衬底上形成至少一个有源层(14、16)；以及

通过以下操作在所述至少一个有源层上形成第一触点(24、26、28)：

在所述至少一个有源层上沉积金属；

在所述金属上沉积TiW(N)层(30)；和

将金属图案化以形成第一触点。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，金属是镍，并且图案化步骤是在沉积TiW(N)层(30)之后执行的。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，衬底(10)是硅衬底、SiC衬底和蓝宝石衬底之一，所述至少一个有源层包括GaN层(14)和GaN层上的AlGaN层(16)，其中形成第一触点(24、26、28)的步骤包括在AlGaN层上形成所述第一触点。

15.根据权利要求12-14中任一项权利要求所述的方法，其中，在所述金属上沉积TiW(N)层(30)的步骤包括：

在金属上沉积第一TiW子层；

在第一TiW子层上沉积TiW(N)子层；以及

在TiW(N)子层上沉积第二TiW子层。