[发明专利]叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法在审
| 申请号： | 201410148461.3 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103943516A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 俞国庆;邵长治;施桑桑;严怡媛;吴伟峰;罗立辉 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 晶圆级凸块圆片级 封装 方法 | ||
1.一种叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）选择作业芯片，所述作业芯片表面有多个表层焊垫；
（2）在每个表层焊垫上用引线键合技术进行金属线键合，在金属线键合过程中，在金属线一端进行烧球形成金属球结构，将金属球结构共晶在表层焊垫上，实现结合；对金属线的线弧进行设置，使得金属线的线弧与所述表层焊垫相互垂直，线弧达到设定高度后直接将金属线熔断形成不规则的金属端部；
（3）在作业芯片上涂覆环氧树脂胶，使得环氧树脂胶完全覆盖金属端部，并对环氧树脂胶进行烘烤固化；
（4）对烘烤固化后的环氧树脂胶进行研磨，将不规则的金属端部去除，形成圆形的金属截面；
（5）在金属截面上进行植球工艺，生成标准的金属球阵列作为对外电性或者信号的连接层。
2.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，所述步骤（1）中还包括对所述作业芯片进行电浆清洗用以去除作业芯片表层有机污染和表层焊垫上的金属氧化层的步骤。
3.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，所述步骤（4）和步骤（5）之间还包括通过去胶液去除环氧树脂胶的步骤。
4.根据权利要求3所述的叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，所述通过去胶液去除环氧树脂胶的步骤后还包括对露出的金属线的表面进行化镀处理和/或镀覆扩散阻挡层的步骤。
5.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，所述金属线采用金、铜或合金材料制成。
6.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，其特征在于，所述金属球阵列为锡球阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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