[发明专利]操作存储控制器的方法和包括存储控制器的数据存储设备有效
申请号: | 201410148555.0 | 申请日: | 2014-04-14 |
公开(公告)号: | CN104103318B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 南尚完;朴起台 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 操作 存储 控制器 方法 包括 数据 设备 | ||
1.一种操作存储控制器的方法,包括:
在所述存储控制器处,基于存储器的块的编程/擦除周期计数来确定所述存储器的所选择的页的状况,所述存储器的块包括所选择的页,所述编程/擦除周期计数指示所述块已经被擦除的次数,所述状况是从多个状况状态中选择的,所述状况状态包括正常状态、弱状态和坏状态,
其中,所述存储控制器被配置为将与坏页相关的页设置为弱状态,所述坏页具有坏状态,所述相关的页是相同块中的页并且处于与坏页相同的垂直层中。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
在对所选择的页的编程操作之后,执行所述确定。
3.如权利要求2所述的方法,其中,如果所述编程操作成功,则所述确定基于循环计数和所述编程/擦除周期计数来确定所选择的页的状况状态,所述循环计数指示在所述编程操作期间运行的编程循环的数目。
4.如权利要求3所述的方法,其中,如果所述循环计数大于第一阈值而且所述编程/擦除周期计数小于第二阈值,则所述确定将所选择的页的状况状态确定为弱状态。
5.如权利要求2所述的方法,其中,如果所述编程操作成功,则所述确定基于错误校正指示符和所述编程/擦除周期计数来确定所选择的页的状况状态,所述错误校正指示符指示与所选择的页相关联的位错误的数目。
6.如权利要求5所述的方法,其中,如果所述错误校正指示符大于第一阈值而且所述编程/擦除周期计数小于第二阈值,则所述确定将所选择的页的状况状态确定为弱状态。
7.如权利要求2所述的方法,其中,如果所述编程操作失败,则所述确定包括基于所述编程/擦除周期计数来确定与所选择的页相关的页的状况状态,所述相关的页处于相同的层并且在所选择的页的块中。
8.如权利要求7所述的方法,其中,如果所述编程/擦除周期计数大于或等于阈值,则所述确定将所述相关的页的状况状态确定为弱状态。
9.如权利要求8所述的方法,其中,如果所述编程/擦除周期计数大于或等于所述阈值,则所述确定将所选择的页的状况状态确定为坏状态。
10.如权利要求7所述的方法,其中,如果所述编程/擦除周期计数小于阈值,则所述确定将所述相关的页的状况状态确定为坏状态。
11.如权利要求10所述的方法,其中,如果所述编程/擦除周期计数小于所述阈值,则所述确定将所选择的页的状况状态确定为坏状态。
12.如权利要求1所述的方法,其中,如果编程条件得到满足而且所述编程/擦除周期计数小于阈值,则所述确定将所选择的页的状况状态确定为弱状态。
13.如权利要求12所述的方法,其中,所述编程条件基于循环计数,所述循环计数指示在所选择的页的成功的编程操作期间运行的编程循环的数目。
14.如权利要求12所述的方法,其中,所述编程条件基于错误校正指示符,所述错误校正指示符指示在对所选择的页的成功的编程操作之后,与所选择的页相关联的位错误的数目。
15.如权利要求1所述的方法,其中,如果编程条件得到满足,则所述确定包括基于所述编程/擦除周期计数确定与所选择的页相关的页的状况状态,所述相关的页处于相同的层并且在所选择的页的块中。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述编程条件基于循环计数,所述循环计数指示在所选择的页的编程操作期间运行的编程循环的数目。
17.如权利要求1所述的方法,还包括:
基于所选择的页的所确定的状态,管理所述存储器。
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