[发明专利]一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构有效
| 申请号： | 201410148635.6 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928364A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;曾立天 | 申请（专利权）人： | 江苏艾特曼电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 邵骅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 共晶键合中 合金 程度 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述结构包括在共晶键合衬底上与键合层相连的测试电极，所述测试电极设置在键合层与键合衬底之间，覆盖键合层区域，所述测试电极上引出引线焊盘。
2.根据权利要求1所述的用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述测试电极材料为导电性金属或化合物。
3.根据权利要求1或2所述的用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述测试电极为多个，均布在键合层下方，所述每个测试电极在不同位置引出多个所述引线焊盘。
4.根据权利要求1或2所述的用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述测试电极为一个，设置在键合层下方，所述引线焊盘在所述测试电极同侧等距引出。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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