[发明专利]提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法无效

专利信息
申请号: 201410148669.5 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103911659A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 李进;高忙忙;薛子文;李海波;李国龙;梁森;张洪岩;何力军 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B27/02;C30B15/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 提高 400 mm 以上 直径 单晶硅 稳定性 方法
【权利要求书】:

1.一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中,该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤:

将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm;

在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中,在等径初期控制液口距的范围值为15~20mm。

2.根据权利要求1所述的提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,其特征在于:所述等径初期为等径开始至晶体直径达到300mm的阶段。

3.根据权利要求2所述的提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,其特征在于:在等径初期,控制晶体的旋转速度为8~9rpm,石英坩埚的旋转速度为5~6rpm。

4.根据权利要求2所述的提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,其特征在于:在等径初期,控制进口氩气流速为1.2m/s,且炉压为22Torr。

5.根据权利要求2所述的提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,其特征在于:在等径初期,控制等径拉速为0.75~1mm/min。

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