[发明专利]一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 201410148707.7 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103956389B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 | 申请（专利权）人： | 绍兴米来电子科技有限公司;南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/338 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 312099 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 沟槽 mos 肖特基 二极管 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；其特征在于：梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；
所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状；
所述的N+半导体衬底的掺杂浓度在1×1018cm-3以上；
所述的N-外延层的掺杂浓度在5×1017cm-3以下；所述的N-外延层的厚度大于4um；
梯形沟槽内壁生长的氧化层厚度大于1000A；
沟槽的总深度d大于1μm；
沟槽的宽度上下不同，上部沟槽的宽度大于下部的沟槽。
2.根据权利要求1所述的阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，其特征在于：所述的N-外延层的掺杂浓度是均匀分布，或者是线性分布，或者是阶梯分布，或者是类高斯分布，或者是任意分布。
3.根据权利要求1所述的阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，其特征在于：阶梯状沟槽式肖特基二极管使用的沟槽宽度，上部宽度与下部宽度之比为1：0.5-0.65。
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