[发明专利]一种发光二极管及电子设备无效
| 申请号： | 201410149131.6 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103956432A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吴长晏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 电子设备 | ||
1.一种发光二极管，包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，其特征在于，
所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料的发光光色不同。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和至少一种有机发光材料的发光光色相同。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第一载流子传输层和第二载流子传输层；
所述第一载流子传输层、发光层和第二载流子传输层顺序排列在所述第一电极和第二电极之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料为单层结构。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层中，有机发光材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于量子点的价电带的绝对值，且有机发光材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于量子点的导电带的绝对值。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料为通过一次成膜工艺同时形成。
8.根据权利要求1-4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层包括第一有机发光层、第二有机发光层和量子点层；
所述量子点层位于所述第一有机发光层和第二有机发光层之间。
9.根据权力要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点层的厚度小于10nm。
10.根据权利要求1-4任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光材料为磷光材料。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-10中任意一项所述的发光二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410149131.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
