[发明专利]功率放大器

说明书

技术领域

本发明主要涉及便携电话等的移动通信用的功率放大器。

背景技术

目前，在CDMA（Code Division Multiple Access：码分多址）等的便携电话用高频功率放大器中，为了降低成本，正在广泛开发使用了CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体）的级联放大器（cascade amplifier）的功率放大器。相对于级联放大器的输入功率的增益的变动是AM-AM特性，相位的变动是AM-PM特性。AM-AM特性和失真特性（distortion characterisitic）相关，如果能够减少AM-AM的变化量，那么能够改善失真特性。

此外，提出了对级联放大器的在0GHz～60GHz的增益的频率特性S21（相对于固定的输入功率的增益的频率依赖性）、特别是增益的跳跃量进行调整的技术（例如，参照专利文献1）。但是，该技术不是调整级联放大器的AM-AM特性（以及AM-PM特性）的技术。

专利文献

专利文献1：日本特开2003-92523号公报。

以往，为了调整级联放大器的AM-AM特性（以及AM-PM特性）而对晶体管的栅极（基极）偏压、漏极（集电极）偏压、输入电源阻抗、输出负载阻抗进行调整。但是，存在如下问题：不仅AM-AM特性（以及AM-PM特性），无效电流（idle current）、效率、饱和输出功率等不希望使其发生变化的特性也发生了变化。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。

本发明提供一种功率放大器，其特征在于，具备：分别被供给偏压的第一以及第二偏压端子；第一晶体管，具有与所述第一偏压端子连接的第一控制端子、接地的第一端子、第二端子；第二晶体管，具有与所述第二偏压端子连接的第二控制端子、与所述第二端子连接的第三端子、第四端子；电容器，连接在所述第二控制端子和接地点之间；可变电阻，在所述第二控制端子和接地点之间与所述电容器串联连接。

根据本发明，能够在不使无效电流等其他特性发生变化的情况下调整AM-AM特性。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的级联放大器的电路图。

图2是示出本发明的实施方式1的可变电阻的电路图。

图3是示出本发明的实施方式1的功率放大器的电路图。

图4是示出可变电阻的电阻值和级联放大器的AM-AM特性（△Gain）和AM-PM特性（△Phase）的关系的图。

图5是示出AM-AM特性（△Gain）和失真特性（ACLR5M）的关系的图。

图6是示出本发明的实施方式2的功率放大器的电路图。

图7是示出本发明的实施方式2的功率放大器的失真特性（ACLR）的负载依赖性的图。

图8是本发明的实施方式3的级联放大器的电路图。

图9是本发明的实施方案3的功率放大器的电路图。

图10是本发明的实施方式4的功率放大器的电路图。

图11是示出在可变电阻的电阻值固定的情况下的相对于温度变化的增益和失真特性（ACLR5M）的关系的图。

图12是示出本发明的实施方式5的功率放大器的电路图。

具体实施方式

参照附图对本发明的实施方式的功率放大器进行说明。对相同或对应的构成要素标注相同的附图标记，有时省略重复说明。

实施方式1

图1是示出本发明的实施方式1的级联放大器的电路图。晶体管M1、M2是n沟道MOS晶体管。向输入端子IN输入RF输入信号，从输出端子OUT输出RF输出信号。分别向偏压端子T1、T2供给偏压Vg1、Vg2。电源端子T3与电源连接。

晶体管M1的栅极经由输入匹配电路1连接于输入端子IN，并且与偏压端子T1连接。晶体管M1的源极接地。因此，晶体管M1是源极接地放大器。晶体管M2的栅极与偏压端子T2连接，源极与晶体管M1的漏极连接。晶体管M2的漏极经由馈线L1（feed line）连接于电源端子T3，并且经由输出匹配电路2连接于输出端子OUT。馈线L1是具有特定的电气长度的线路，作为电感器进行作用。